Katika miaka ya hivi karibuni, tasnia ya usambazaji wa nishati ya gari la LED imekuwa na sifa ya maendeleo ya haraka ya kiteknolojia na mahitaji ya kuongezeka kwa suluhisho za kuokoa nishati. Kwa msukumo wa kimataifa wa uendelevu, kupitishwa kwa soko kwa mifumo ya taa za LED imeongezeka kwa kiasi kikubwa, ambayo kwa upande wake imechochea ukuaji katika tasnia ya nguvu ya LED.
Kwa kuzingatia mienendo ya soko, tasnia inashuhudia mwelekeo wa viendeshaji vya LED kuunganisha kazi za akili na zinazoweza kupangwa ili kukidhi mahitaji yanayokua ya suluhu za taa mahiri. Kuibuka kwa IoT (Internet of Things) na AI (Artificial Intelligence) kumefanya mitandao ya taa kuwa ngumu zaidi, na viendeshi vya LED vinavyoboresha matumizi ya nguvu na kukabiliana na mabadiliko ya hali katika muda halisi.
Katika tasnia ya nguvu ya dereva wa LED, ufanisi na kasi ya ubadilishaji waMOSFETs(Transistors za Athari ya Sehemu ya Oksidi ya Metali) ni muhimu. Vifaa hivi vya semiconductor ni sehemu muhimu ya vifaa vya umeme vya LED kwa vile vinaweza kushughulikia mikondo ya juu na hasara ndogo, kuhakikisha uendeshaji wa ufanisi wa nishati. Sifa muhimu za teknolojia ya MOSFET, uwezo mdogo wa kupinga na kubadili haraka, kuboresha miundo ya usambazaji wa nishati, kuwezesha viendeshi vya LED vya kompakt, vya kuaminika na vya juu vya utendaji. Maendeleo katika muundo wa MOSFET, kama vile yale ambayo hutoa malipo ya chini ya lango na utendakazi bora wa mafuta, yanaendelea kuendeleza uundaji wa suluhu za nguvu za taa za LED kwa kuzingatia utumizi endelevu, usio na nishati na wa gharama nafuu.
Maombi yaWINSOKMOSFET katika usambazaji wa umeme wa kuendesha LED, mifano kuu inayotumika ni:
Nambari ya sehemu | Usanidi | Aina | VDS | kitambulisho (A) | VGS(th)(v) | RDS(IMEWASHWA)(mΩ) | Ciss | Kifurushi | |||
@10V | |||||||||||
(V) | Max. | Dak. | Chapa. | Max. | Chapa. | Max. | (pF) | ||||
Mtu mmoja | N-Ch | 30 | 7 | 0.5 | 0.8 | 1.2 | - | - | 572 | SOT-23-3L | |
Mbili | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 43 | 52 | 870 | SOP-8 | |
N+P | N-Ch | 60 | 6.5 | 1 | 2 | 3 | 26 | 36 | 670 | SOP-8 | |
P-Ch | -60 | -4.5 | -1.5 | -2 | -2.5 | 60 | 75 | 500 | |||
Mtu mmoja | N-Ch | 100 | 15 | 1.5 | 2 | 2.5 | 80 | 100 | 940 | HADI-252 | |
Mtu mmoja | N-Ch | 100 | 26 | 2 | 3 | 4 | 32 | 45 | 1350 | HADI-252 |
Nambari zingine za nyenzo za chapa zinazolingana na WINSOK iliyo hapo juuMOSFETni:
Nambari za nyenzo zinazolingana za WINSOK MOSFET WST3400 ni: AOS AO3400, AO3400A, AO3404. Onsemi, FAIRCHILD FDN537N. NIKO-SEM P3203CMG. Poten Semiconductor PDN3912S. DINTEK ELECTRONICS DTS3406.
Nambari za nyenzo zinazolingana za WINSOK MOSFET WSP6946 ni: AOS AO4828, AOSD62666E, AOSD6810.Onsemi, FAIRCHILD FDS5351. Poten Semiconductor PDS6810. DINTEK ELECTRONICS DTM4946.
Nambari za nyenzo zinazolingana za WINSOK MOSFET WSP6067 ni: AOS AO4611, AO4612. Onsemi, FAIRCHILD ECH8690. P5506NV. Poten Semiconductor PDS6710. DINTEK ELECTRONICS DTM9906, DTM9908.
Nambari za nyenzo zinazolingana za WINSOK MOSFET ni: AOS AO4611, AO4612.
Nambari za nyenzo zinazolingana za WINSOK MOSFET WSF15N10 ni: AOS AOD478, AOD2922.Potens Semiconductor PDD0956.
Nambari za nyenzo zinazolingana zaWINSOK MOSFETWSF40N10 ni: AOS AOD2910E, AOD4126.Onsemi, FAIRCHILD FDD3672.NIKO-SEM P1210BDA, P1410BD.Potens Semiconductor PDD0904.DINTEK ELECTRONICS DTU40N10.
Kwa ujumla, tasnia ya nishati ya viendeshi vya LED iko tayari kwa ukuaji unaoendelea, unaoendeshwa na ufanisi wa nishati, teknolojia ya hali ya juu, na muunganiko wa kimataifa wa suluhisho mahiri na endelevu za taa.
Muda wa kutuma: Nov-06-2023