WSD100N06GDN56 N-chaneli 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

maelezo mafupi:

Nambari ya Sehemu:WSD100N06GDN56

BVDSS:60V

ID:100A

RDSON:3mΩ

Kituo:N-chaneli

Kifurushi:DFN5X6-8

Tutumie barua pepe PDF

Maelezo ya Bidhaa

Maombi

Lebo za Bidhaa

Muhtasari wa bidhaa za WINSOK MOSFET

Voltage ya WSD100N06GDN56 MOSFET ni 60V, sasa ni 100A, upinzani ni 3mΩ, kituo ni N-channel, na mfuko ni DFN5X6-8.

Maeneo ya maombi ya WINSOK MOSFET

Vifaa vya nguvu za matibabu MOSFET, PDs MOSFET, MOSFET drones, sigara za elektroniki MOSFET, vifaa kuu vya MOSFET, na zana za nguvu za MOSFET.

WINSOK MOSFET inalingana na nambari zingine za nyenzo za chapa

AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semicondukta MOS2XFET PDC69

Vigezo vya MOSFET

Alama	Kigezo			Ukadiriaji	Vitengo
VDS	Mfereji-Chanzo Voltage			60	V
VGS	Lango-Chanzo Voltage			±20	V
I_D1,6	Kuendelea Kukimbia Sasa	TC=25°C		100	A
		TC=100°C		65
IDM²	Pulsed Drain Sasa	TC=25°C		240	A
PD	Kiwango cha Juu cha Usambazaji wa Nguvu	TC=25°C		83	W
		TC=100°C		50
IAS	Banguko la Sasa, Mpigo mmoja			45	A
EAS³	Nishati ya Banguko moja la Pulse			101	mJ
TJ	Kiwango cha Juu cha Joto la Makutano			150	℃
TSTG	Kiwango cha Joto la Uhifadhi			-55 hadi 150	℃
RθJA1	Makutano ya Upinzani wa Joto kwa mazingira		Jimbo Imara	55	℃/W
RJC¹	Makutano ya Upinzani wa Joto kwa Kesi		Jimbo Imara	1.5	℃/W

Alama	Kigezo	Masharti		Dak.	Chapa.	Max.	Kitengo
Tuli
V(BR)DSS	Voltage ya Uchanganuzi wa Chanzo cha Mfereji	VGS = 0V, ID = 250μA		60			V
IDSS	Sufuri lango la kutokwa kwa Voltage ya Sasa	VDS = 48 V, VGS = 0V				1	µA
IDSS	Sufuri lango la kutokwa kwa Voltage ya Sasa		T_J=85°C			30	µA
IGSS	Uvujaji wa Lango la Sasa	VGS = ± 20V, VDS = 0V				±100	nA
Juu ya Tabia
VGS(TH)	Voltage ya Kizingiti cha Lango	VGS = VDS, IDS = 250µA		1.2	1.8	2.5	V
RDS(imewashwa)²	Upinzani wa Maji kwenye Jimbo	VGS = 10V, ID = 20A			3.0	3.6	mΩ
RDS(imewashwa)²	Upinzani wa Maji kwenye Jimbo	VGS = 4.5V, ID = 15A			4.4	5.4	mΩ
Kubadilisha
Qg	Jumla ya Malipo ya Lango	VDS=30V VGS=10V ID=20A			58		nC
Qgs	Malipo ya Gate-Sour				16		nC
Qgd	Malipo ya lango-Drein				4.0		nC
td (imewashwa)	Washa Wakati wa Kuchelewa	VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω			18		ns
tr	Washa Muda wa Kupanda				8		ns
td(zimwa)	Muda wa Kuchelewesha Kuzima				50		ns
tf	Kuzima Wakati wa Kuanguka				11		ns
Rg	Upinzani wa gat	VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz			0.7		Ω
Nguvu
Ciss	Katika Uwezo	VGS=0V VDS=30V f=1MHz			3458		pF
Coss	Uwezo wa nje				1522		pF
Crss	Reverse Transfer Capacitance				22		pF
Sifa za Diodi ya Chanzo cha maji machafu na Ukadiriaji wa Juu
IS1,5	Chanzo Kinachoendelea Sasa	VG=VD=0V , Lazimisha Sasa				55	A
ISM	Chanzo cha Pulsed Sasa3	VG=VD=0V , Lazimisha Sasa				240	A
VSD²	Diode Forward Voltage	ISD = 1A , VGS=0V			0.8	1.3	V
trr	Reverse Recovery Time	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs			27		ns
Qrr	Reverse Recovery Charge	I_SD=20A, dl_SD/dt=100A/µs			33		nC