WSD27N10DN56 N+P-chaneli ±100V 18A/-12A DFN5X6-8L WINSOK MOSFET

maelezo mafupi:

Nambari ya Sehemu:WSD27N10DN56

BVDSS:±100V

ID:18A/-12A

RDSON:50mΩ

Kituo:N+P-chaneli

Kifurushi:DFN5X6-8L

Tutumie barua pepe PDF

Maelezo ya Bidhaa

Maombi

Lebo za Bidhaa

Muhtasari wa bidhaa ya WINSOK MOSFET:

Voltage ya WSD27N10DN56 MOSFET ni ± 100V, sasa ni 18A/-12A, upinzani ni 50mΩ, kituo ni N + P-channel, na mfuko ni DFN5X6-8L.

Maeneo ya maombi ya WINSOK MOSFET:

Sigara ya kielektroniki, chaja isiyotumia waya, injini, ndege isiyo na rubani, matibabu, chaja ya gari, kidhibiti, bidhaa za kidijitali, vifaa vidogo, vifaa vya elektroniki vya watumiaji.

Vigezo muhimu

Sehemu, nambari	Usanidi	Aina	VDS	VGS	Kitambulisho, (A)	RDS(IMEWASHWA)(mΩ)						RDS(IMEWASHWA)(mΩ)				Ciss	Kifurushi
			VDS	VGS	Kitambulisho, (A)	@10V		@6V		@4.5V		@2.5V		@1.8V		Ciss
			(V)	±(V)	Max.	Chapa.	Max.	Chapa.	Max.	Chapa.	Max.	Chapa.	Max.	Chapa.	Max.	(pF)
WSD27N10DN56	N+P	N-Ch	100	20	18	50	58	-	-	60	67	-	-	-	-	800	DFN5X6-8L
WSD27N10DN56	N+P	P-Ch	-100	20	-12	80	100	-	-	95	125	-	-	-	-	1410	DFN5X6-8L