WSD75N12GDN56 N-chaneli 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

bidhaa

WSD75N12GDN56 N-chaneli 120V 75A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

maelezo mafupi:

Nambari ya Sehemu:WSD75N12GDN56

BVDSS:120V

ID:75A

RDSON:6mΩ

Kituo:N-chaneli

Kifurushi:DFN5X6-8


Maelezo ya Bidhaa

Maombi

Lebo za Bidhaa

Muhtasari wa bidhaa za WINSOK MOSFET

Voltage ya WSD75N12GDN56 MOSFET ni 120V, sasa ni 75A, upinzani ni 6mΩ, kituo ni N-channel, na mfuko ni DFN5X6-8.

Maeneo ya maombi ya WINSOK MOSFET

Vifaa vya matibabu MOSFET, drones MOSFET, PD vifaa vya nguvu MOSFET, LED vifaa vya MOSFET, vifaa vya viwanda MOSFET.

Sehemu za maombi ya MOSFETWINSOK MOSFET inalingana na nambari zingine za nyenzo za chapa

AOS MOSFET AON6226,AON6294,AON6298,AONS6292,AONS6692,AONS66923.PANJIT MOSFET PSMQC76N12LS1.

Vigezo vya MOSFET

Alama

Kigezo

Ukadiriaji

Vitengo

VDSS

Voltage ya Kuondoa hadi Chanzo

120

V

VGS

Voltage ya lango-kwa-Chanzo

±20

V

ID

1

Mtiririko Unaoendelea wa Sasa (Tc=25℃)

75

A

ID

1

Mtiririko wa Maji Unaoendelea (Tc=70℃)

70

A

IDM

Pulsed Drain Sasa

320

A

IAR

Mpigo mmoja wa maporomoko ya theluji

40

A

EASa

Nishati ya maporomoko ya mapigo ya moyo mmoja

240

mJ

PD

Uharibifu wa Nguvu

125

W

TJ, Tst

Makutano ya Uendeshaji na Masafa ya Halijoto ya Hifadhi

-55 hadi 150

TL

Kiwango cha Juu cha Joto kwa Kuuza

260

RθJC

Upinzani wa Joto, Makutano-kwa-Kesi

1.0

℃/W

RθJA

Upinzani wa Joto, Makutano-hadi-Ambient

50

℃/W

 

Alama

Kigezo

Masharti ya Mtihani

Dak.

Chapa.

Max.

Vitengo

VDSS

Futa kwa Voltage ya Uchanganuzi wa Chanzo VGS=0V, ID=250µA

120

--

--

V

IDSS

Futa hadi Chanzo Uvujaji wa Sasa VDS = 120V, VGS= 0V

--

--

1

µA

IGSS(F)

Uvujaji wa Gate to Source Forward VGS =+20V

--

--

100

nA

IGSS(R)

Lango kwa Chanzo Reverse Leakage VGS =-20V

--

--

-100

nA

VGS(TH)

Voltage ya Kizingiti cha Lango VDS=VGS, ID = 250µA

2.5

3.0

3.5

V

RDS(IMEWASHWA)1

Upinzani wa Kukimbia-kwa-Chanzo VGS=10V, ID=20A

--

6.0

6.8

gFS

Upitishaji wa Mbele VDS=5V, ID=50A  

130

--

S

Ciss

Uwezo wa Kuingiza VGS = 0V VDS = 50V f =MHz 1.0

--

4282

--

pF

Coss

Uwezo wa Pato

--

429

--

pF

Crss

Reverse Transfer Capacitance

--

17

--

pF

Rg

Upinzani wa lango

--

2.5

--

Ω

td(WASHA)

Washa Wakati wa Kuchelewa

ID =20A VDS = 50V VGS =

10V RG = 5Ω

--

20

--

ns

tr

Muda wa Kupanda

--

11

--

ns

td(IMEZIMWA)

Muda wa Kucheleweshwa kwa Kuzima

--

55

--

ns

tf

Wakati wa Kuanguka

--

28

--

ns

Qg

Jumla ya Malipo ya Lango VGS =0~10V VDS = 50VKitambulisho =20A

--

61.4

--

nC

Qgs

Malipo ya Chanzo cha Lango

--

17.4

--

nC

Qgd

Malipo ya Mfereji wa Lango

--

14.1

--

nC

IS

Diode Mbele ya Sasa TC =25 °C

--

--

100

A

ISM

Diode Pulse ya Sasa

--

--

320

A

VSD

Diode Forward Voltage IS=6.0A, VGS=0V

--

--

1.2

V

trr

Muda wa Kurejesha Nyuma IS=20A, VDD=50V dIF/dt=100A/μs

--

100

--

ns

Qrr

Reverse Recovery Charge

--

250

--

nC


  • Iliyotangulia:
  • Inayofuata:

  • Andika ujumbe wako hapa na ututumie