Uchambuzi wa sababu muhimu za kizazi cha joto cha MOSFET

N aina, P aina MOSFET kanuni ya kazi ya kiini ni sawa, MOSFET ni hasa aliongeza kwa upande wa pembejeo ya voltage lango ili kudhibiti mafanikio upande wa pato la sasa kukimbia, MOSFET ni kifaa voltage-kudhibitiwa, kwa njia ya voltage aliongeza. kwa lango ili kudhibiti sifa za kifaa, tofauti na triode ya kufanya wakati wa kubadili kutokana na sasa ya msingi inayosababishwa na athari ya uhifadhi wa malipo, katika kubadili programu, MOSFET's Katika kubadili programu,ya MOSFET kasi ya kubadili ni kasi zaidi kuliko ile ya triode.

Katika umeme byte, kawaida kutumika MOSFET wazi kukimbia mzunguko, kukimbia ni kushikamana na mzigo kama ni, aitwaye kukimbia wazi, wazi kukimbia mzunguko, mzigo ni kushikamana na jinsi high voltage, wanaweza kuwasha, kuzima mzigo wa sasa, ni bora Analog byte kifaa, ambayo ni kanuni ya MOSFET kufanya vifaa byte, MOSFET kufanya byte katika mfumo wa nyaya zaidi.

Kwa upande wa kubadili programu za usambazaji wa nguvu, programu hii inahitaji MOSFETs kufanya mara kwa mara, kuzima, kama vile usambazaji wa umeme wa DC-DC unaotumiwa kwa kawaida katika kigeuzi cha msingi cha pesa hutegemea MOSFET mbili kufanya kazi ya kubadili, swichi hizi kwa kutafautisha katika indukta ili kuhifadhi nishati, kutolewa kwa nishati kwa mzigo, mara nyingi huchagua. mamia ya kHz au hata zaidi ya 1 MHz, hasa kwa sababu ya juu ya mzunguko basi, vipengele vidogo vya magnetic. Wakati wa operesheni ya kawaida, MOSFET ni sawa na kondakta, kwa mfano, MOSFETs yenye nguvu ya juu, MOSFETs ndogo-voltage, nyaya, ugavi wa umeme ni hasara ya chini ya uendeshaji wa MOS.

Vigezo vya MOSFET PDF, wazalishaji wa MOSFET wamepitisha kwa ufanisi parameter ya RDS (ON) ili kufafanua impedance ya hali, kwa ajili ya kubadili maombi, RDS (ON) ni sifa muhimu zaidi ya kifaa; datasheets hufafanua RDS (ON), lango (au gari) voltage VGS na sasa inapita kwa njia ya kubadili inahusiana, kwa gari la lango la kutosha, RDS (ON) ni parameter kiasi tuli; MOSFET ambazo zimekuwa katika upitishaji zinakabiliwa na uzalishaji wa joto, na kuongezeka polepole kwa joto la makutano kunaweza kusababisha kuongezeka kwa RDS (ON);MOSFET hifadhidata zinabainisha kigezo cha kizuizi cha joto, ambacho kinafafanuliwa kama uwezo wa makutano ya semiconductor ya kifurushi cha MOSFET kutawanya joto, na RθJC inafafanuliwa kwa urahisi kama kizuizi cha joto cha makutano hadi kesi.

1, frequency ni kubwa mno, wakati mwingine juu-kufuata kiasi, moja kwa moja kusababisha mzunguko wa juu, MOSFET juu ya ongezeko hasara, joto kubwa, si kufanya kazi nzuri ya kubuni kutosha joto itawaangamiza, juu ya sasa, nominella. thamani ya sasa ya MOSFET, haja ya utaftaji mzuri wa joto ili kuweza kufikia; Kitambulisho ni chini ya kiwango cha juu cha sasa, inaweza kuwa joto kali, hitaji la heatsinks msaidizi wa kutosha.

2, makosa ya uteuzi wa MOSFET na makosa katika hukumu ya nguvu, upinzani wa ndani wa MOSFET hauzingatiwi kikamilifu, utasababisha moja kwa moja kuongezeka kwa impedance ya kubadili, wakati wa kushughulika na matatizo ya joto ya MOSFET.

3, kutokana na matatizo ya muundo wa mzunguko, na kusababisha joto, ili MOSFET ifanye kazi katika hali ya uendeshaji ya mstari, sio katika hali ya kubadili, ambayo ni sababu ya moja kwa moja ya joto la MOSFET, kwa mfano, N-MOS kufanya byte, G- kiwango cha voltage kinapaswa kuwa cha juu kuliko usambazaji wa umeme na V chache, ili kuwa na uwezo wa kufanya kikamilifu, P-MOS ni tofauti; kwa kutokuwepo kwa wazi kabisa, kushuka kwa voltage ni kubwa sana, ambayo itasababisha matumizi ya nguvu, impedance sawa ya DC ni kubwa, kushuka kwa voltage pia itaongezeka, U * nitaongeza pia, hasara itasababisha joto.