• Facebook
  • zilizounganishwa
  • twitter
  • youtube
  • instagram
Email:[email protected]
English
Uchambuzi wa Kushindwa kwa MOSFET: Uelewa, Kinga, na Suluhisho

Uchambuzi wa Kushindwa kwa MOSFET: Uelewa, Kinga, na Suluhisho

Muda wa Kuchapisha: Dec-13-2024

Muhtasari wa Haraka:MOSFETs zinaweza kushindwa kutokana na matatizo mbalimbali ya umeme, mafuta na mitambo. Kuelewa aina hizi za kushindwa ni muhimu kwa kubuni mifumo ya umeme ya umeme inayotegemewa. Mwongozo huu wa kina unachunguza njia za kawaida za kushindwa na mikakati ya kuzuia.

Wastani-ppm-kwa-Njia-mbalimbali-za-MOSFET-KushindwaNjia za Kushindwa za MOSFET za Kawaida na Sababu Zake za Mizizi

1. Kushindwa Kuhusiana na Voltage

  • Kuvunjika kwa lango la oksidi
  • Kuvunjika kwa Banguko
  • Piga-kupitia
  • Uharibifu wa kutokwa kwa tuli

2. Kushindwa Kuhusiana na Joto

  • Uchanganuzi wa pili
  • Kukimbia kwa joto
  • Upungufu wa kifurushi
  • Kuinua waya wa dhamana
Hali ya Kushindwa Sababu za Msingi Ishara za Onyo Mbinu za Kuzuia
Uchanganuzi wa Oksidi ya Lango VGS nyingi, matukio ya ESD Kuongezeka kwa uvujaji wa lango Ulinzi wa voltage ya lango, hatua za ESD
Mkimbiaji wa joto Upotezaji wa nguvu nyingi Kuongezeka kwa joto, kupunguza kasi ya kubadili Muundo sahihi wa joto, kupungua
Kuvunjika kwa Banguko Viiba vya voltage, ubadilishaji wa kufata bila kufungwa Mzunguko mfupi wa chanzo cha maji Mizunguko ya snubber, clamps za voltage

Winsok's Robust MOSFET Solutions

Kizazi chetu cha hivi punde zaidi cha MOSFET kina mbinu za ulinzi wa hali ya juu:

  • SOA Iliyoimarishwa (Eneo Salama la Uendeshaji)
  • Utendaji bora wa joto
  • Ulinzi wa ESD uliojengwa ndani
  • Miundo iliyokadiriwa na Banguko
Gundua Msururu Uliolindwa wa MOSFET

Uchambuzi wa Kina wa Mbinu za Kushindwa

Uchanganuzi wa Oksidi ya Lango

Vigezo Muhimu:

  • Kiwango cha juu cha Voltage ya Lango-Chanzo: ± 20V ya kawaida
  • Unene wa Oksidi ya Lango: 50-100nm
  • Nguvu ya Uga wa Kuchanganua: ~10 MV/cm

Hatua za Kuzuia:

  1. Tekeleza ubanaji wa voltage ya lango
  2. Tumia vipinga vya lango la mfululizo
  3. Sakinisha diodi za TVS
  4. Mazoea sahihi ya mpangilio wa PCB

Usimamizi wa Joto na Kuzuia Kushindwa

Aina ya Kifurushi Kiwango cha joto cha Max Junction Ilipendekeza Derating Suluhisho la Kupoeza
HADI-220 175°C 25% Heatsink + Shabiki
D2PAK 175°C 30% Eneo Kubwa la Shaba + Heatsink ya Hiari
SOT-23 150°C 40% PCB Copper Pour

Vidokezo Muhimu vya Usanifu kwa Kuegemea kwa MOSFET

Mpangilio wa PCB

  • Punguza eneo la kitanzi cha lango
  • Nguvu tofauti na misingi ya ishara
  • Tumia unganisho la chanzo cha Kelvin
  • Boresha uwekaji kupitia njia ya joto

Ulinzi wa Mzunguko

  • Tekeleza mizunguko ya kuanza kwa laini
  • Tumia snubbers zinazofaa
  • Ongeza ulinzi wa reverse voltage
  • Fuatilia halijoto ya kifaa

Taratibu za Uchunguzi na Uchunguzi

Itifaki ya Msingi ya Upimaji wa MOSFET

  1. Upimaji wa Vigezo Tuli
    • Voltage ya kizingiti cha lango (VGS(th))
    • Ukinzani wa chanzo cha maji taka (RDS(imewashwa))
    • Mkondo wa uvujaji wa lango (IGSS)
  2. Upimaji Nguvu
    • Saa za kubadilisha (tani, toff)
    • Tabia za malipo ya lango
    • Uwezo wa pato

Huduma za Kuimarisha Kuegemea za Winsok

  • Mapitio ya kina ya maombi
  • Uchambuzi wa joto na uboreshaji
  • Upimaji wa kuaminika na uthibitisho
  • Usaidizi wa maabara ya uchambuzi wa kushindwa
Omba Uchambuzi wa Kushindwa
Msaada wa Kiufundi

Takwimu za Kutegemewa na Uchambuzi wa Maisha

Vipimo Muhimu vya Kuegemea

Kiwango cha FIT (Imeshindwa kwa Wakati)

Idadi ya hitilafu kwa kila saa mabilioni ya kifaa

0.1 - 10 FIT

Kulingana na mfululizo wa hivi karibuni wa MOSFET wa Winsok chini ya hali ya kawaida

MTTF (Wakati Wastani wa Kushindwa)

Muda wa maisha unaotarajiwa chini ya hali maalum

>10^saa 6

Katika TJ = 125 ° C, voltage ya majina

Kiwango cha Kuishi

Asilimia ya vifaa vilivyosalia zaidi ya muda wa udhamini

99.9%

Katika miaka 5 ya operesheni inayoendelea

Mambo ya Kupunguza Maisha

Hali ya Uendeshaji Kipengele cha Kudharau Athari kwa Maisha
Halijoto (kwa 10°C juu ya 25°C) 0.5x 50% kupunguza
Mkazo wa Voltage (95% ya ukadiriaji wa juu) 0.7x 30% kupunguza
Kubadilisha Masafa (2x nominella) 0.8x 20% kupunguza
Unyevu (85% RH) 0.9x 10% kupunguza

Usambazaji wa Uwezekano wa Maisha

picha (1)

Usambazaji wa Weibull wa maisha ya MOSFET unaoonyesha kushindwa mapema, kutofaulu bila mpangilio na kipindi cha kuchakaa

Mambo ya Mkazo wa Mazingira

Kuendesha Baiskeli kwa Halijoto

85%

Athari kwa kupunguzwa kwa maisha

Kuendesha Baiskeli kwa Nguvu

70%

Athari kwa kupunguzwa kwa maisha

Mkazo wa Mitambo

45%

Athari kwa kupunguzwa kwa maisha

Matokeo ya Upimaji wa Maisha yaliyoharakishwa

Aina ya Mtihani Masharti Muda Kiwango cha Kushindwa
HTOL (Maisha ya Uendeshaji ya Halijoto ya Juu) 150°C, Upeo wa VDS Saa 1000 < 0.1%
THB (Upendeleo wa Unyevu wa Joto) 85°C/85% RH Saa 1000 < 0.2%
TC (Baiskeli ya Halijoto) -55°C hadi +150°C 1000 mizunguko < 0.3%

Mpango wa Uhakikisho wa Ubora wa Winsok

2

Uchunguzi wa Uchunguzi

  • Mtihani wa uzalishaji wa 100%.
  • Uthibitishaji wa parameta
  • Tabia za nguvu
  • Ukaguzi wa kuona

Vipimo vya Kuhitimu

  • Uchunguzi wa mkazo wa mazingira
  • Uthibitishaji wa kuegemea
  • Jaribio la uadilifu la kifurushi
  • Ufuatiliaji wa kuaminika wa muda mrefu

KuhusianaMaudhui

Gonga ingiza ili kutafuta au ESC ili kufunga