Siku hizi, pamoja na maendeleo ya haraka ya sayansi na teknolojia, semiconductors hutumiwa katika tasnia nyingi zaidi, ambazoMOSFET pia inachukuliwa kuwa kifaa cha kawaida cha semiconductor, hatua inayofuata ni kuelewa ni tofauti gani kati ya sifa za transistor ya kioo ya bipolar na nguvu ya pato la MOSFET.
1, njia ya kazi
MOSFET ni kazi inayohitajika ili kukuza voltage ya uendeshaji, michoro ya mzunguko inaelezea rahisi, kukuza nguvu ndogo; nguvu kioo transistor ni mtiririko wa nguvu ili kukuza mpango wa kubuni ni ngumu zaidi, ili kukuza vipimo ya uchaguzi wa vigumu kukuza vipimo itakuwa kuhatarisha ugavi wa umeme jumla byte kasi.
2, jumla ya byte kasi ya ugavi wa umeme
MOSFET walioathirika na hali ya joto ni ndogo, ugavi wa umeme byte pato nguvu inaweza kuhakikisha kwamba zaidi ya 150KHz; transistor ya kioo cha nguvu ina muda mfupi sana wa kuhifadhi chaji bila malipo kikomo kasi yake ya kubadili ugavi wa nishati, lakini nguvu yake ya kutoa kwa ujumla si zaidi ya 50KHz.
3, eneo salama la kufanya kazi
Nguvu ya MOSFET haina msingi wa sekondari, na eneo la kazi salama ni pana; transistor ya kioo cha nguvu ina hali ya msingi ya sekondari, ambayo hupunguza eneo la kazi salama.
4, kondakta wa umeme mahitaji ya kufanya kazi voltage
NguvuMOSFET ni ya aina ya juu ya voltage, mahitaji ya kufanya kazi ya conduction ni ya juu, kuna mgawo mzuri wa joto; nguvu kioo transistor bila kujali ni kiasi gani cha fedha ni sugu kwa mahitaji ya kazi voltage kazi, kondakta umeme mahitaji ya kufanya kazi voltage ni ya chini, na ina mgawo hasi joto.
5, upeo wa mtiririko wa nguvu
Nguvu MOSFET katika byte ugavi wa umeme mzunguko ugavi wa mzunguko wa umeme mzunguko wa umeme kama kubadili ugavi wa umeme, katika operesheni na kazi imara katikati, upeo wa mtiririko wa nguvu ni chini; na nguvu kioo transistor katika operesheni na kazi imara katikati, upeo wa mtiririko wa nguvu ni ya juu.
6, Gharama ya bidhaa
Gharama ya MOSFET ya nguvu ni ya juu kidogo; gharama ya triode ya kioo ya nguvu ni chini kidogo.
7, Athari ya kupenya
MOSFET ya nguvu haina athari ya kupenya; transistor ya kioo yenye nguvu ina athari ya kupenya.
8, Kubadilisha hasara
MOSFET byte hasara si kubwa; nguvu kioo transistor byte hasara ni kubwa kiasi.
Aidha, idadi kubwa ya diode ya kufyonza mshtuko iliyounganishwa na MOSFET, wakati transistor ya kioo cha nguvu ya bipolar karibu hakuna diode jumuishi ya kufyonza mshtuko. diode ya kufyonza mshtuko ya MOSFET inaweza pia kuwa sumaku ya ulimwengu kwa kubadili nyaya za usambazaji wa nguvu za sumaku ili kutoa kipengele cha nguvu cha angle. cha njia ya usalama ya mtiririko wa nguvu. Bomba la athari ya shamba katika diodi ya kufyonza mshtuko katika mchakato mzima wa kuzima na diode ya jumla kama kuwepo kwa mtiririko wa sasa wa kurejesha nyuma, kwa wakati huu diode kwa upande mmoja kuchukua bomba - chanzo cha pole chanya katikati ya kikubwa. kuongezeka kwa mahitaji ya kazi ya voltage ya uendeshaji, kwa upande mwingine, na mtiririko wa sasa wa kurejesha nyuma.
Muda wa kutuma: Mei-29-2024
