MOSFET hufanyaje kazi?

1, MOSFETutangulizi

Kifupi cha FieldEffect Transistor (FET)) jina la MOSFET. na idadi ndogo ya wabebaji kushiriki katika upitishaji joto, pia inajulikana kama transistor yenye nguzo nyingi. Ni mali ya utaratibu wa usimamiaji wa voltage ya nusu-superconductor. Kuna kuwa na upinzani wa pato ni wa juu (10^8 ~ 10^9Ω), kelele ya chini, matumizi ya chini ya nguvu, anuwai tuli, rahisi kuunganishwa, hakuna hali ya pili ya kuvunjika, kazi ya bima ya bahari pana na faida zingine, sasa imebadilika. transistor ya bipolar na transistor ya makutano ya nguvu ya washirika wenye nguvu.

 

2, sifa za MOSFET

1, MOSFET ni kifaa kudhibiti voltage, ni kupitia VGS (lango chanzo voltage) kudhibiti ID (kukimbia DC);

2, ya MOSFETpato DC pole ni ndogo, hivyo upinzani pato ni kubwa.

3, ni matumizi ya idadi ndogo ya flygbolag kufanya joto, hivyo ana kipimo bora ya utulivu;

4, ina njia ya kupunguza mgawo wa kupunguza umeme ni ndogo kuliko triode lina njia ya kupunguza mgawo kupunguza;

5, MOSFET uwezo wa kupambana na mionzi;

6, kutokana na kutokuwepo kwa shughuli mbaya ya utawanyiko wa oligon unaosababishwa na chembe zilizotawanyika za kelele, hivyo kelele ni ya chini.

 

3, kanuni ya kazi ya MOSFET

ya MOSFETkanuni ya uendeshaji katika sentensi moja, ni "mifereji - chanzo kati ya kitambulisho kinachopita kupitia chaneli ya lango na chaneli kati ya makutano ya pn iliyoundwa na upendeleo wa nyuma wa Kitambulisho kikuu cha voltage ya lango", kuwa sahihi, kitambulisho kinapita kwa upana. ya njia, yaani, eneo la sehemu ya channel, ni mabadiliko katika upendeleo wa nyuma wa makutano ya pn, ambayo hutoa safu ya kupungua Sababu ya udhibiti wa kutofautiana uliopanuliwa. Katika bahari isiyojaa ya VGS=0, kwa kuwa upanuzi wa safu ya mpito sio kubwa sana, kulingana na kuongezwa kwa uwanja wa sumaku wa VDS kati ya chanzo cha kukimbia, elektroni zingine kwenye bahari ya chanzo huvutwa na kukimbia, yaani, kuna shughuli ya Kitambulisho cha DC kutoka kwenye bomba hadi kwenye chanzo. Safu ya wastani iliyopanuliwa kutoka lango hadi kwenye bomba hufanya mwili mzima wa kituo kuwa aina ya kuzuia, kitambulisho kilichojaa. Piga fomu hii ya kubana. Kuashiria safu ya mpito kwa chaneli ya kizuizi kizima, badala ya nguvu ya DC imekatwa.

 

Kwa sababu hakuna harakati ya bure ya elektroni na mashimo kwenye safu ya mpito, ina karibu mali ya kuhami katika fomu bora, na ni vigumu kwa sasa ya jumla kutiririka. Lakini basi uwanja wa umeme kati ya kukimbia - chanzo, kwa kweli, safu mbili za mpito kuwasiliana kukimbia na lango pole karibu na sehemu ya chini, kwa sababu drift shamba umeme pulls elektroni high-speed kupitia safu ya mpito. Uzito wa uga wa drift ni karibu mara kwa mara kutoa utimilifu wa eneo la kitambulisho.

 

Saketi hutumia mchanganyiko wa MOSFET ya P-chaneli iliyoboreshwa na MOSFET ya N-chaneli iliyoboreshwa. Wakati pembejeo iko chini, MOSFET ya P-channel inafanya na pato limeunganishwa na terminal nzuri ya usambazaji wa umeme. Wakati pembejeo iko juu, MOSFET ya N-chaneli inaendesha na pato limeunganishwa kwenye uwanja wa usambazaji wa nguvu. Katika mzunguko huu, MOSFET ya P-chaneli na MOSFET ya N-chaneli daima hufanya kazi katika majimbo tofauti, na pembejeo na matokeo ya awamu yao yamepinduliwa.