MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) mara nyingi huchukuliwa kuwa vifaa vinavyodhibitiwa kikamilifu. Hii ni kwa sababu hali ya uendeshaji (kuwasha au kuzima) ya MOSFET inadhibitiwa kabisa na voltage ya lango (Vgs) na haitegemei mkondo wa msingi kama ilivyo kwa transistor ya bipolar (BJT).
Katika MOSFET, Vgs ya voltage ya lango huamua ikiwa kituo cha uendeshaji kinaundwa kati ya chanzo na kukimbia, pamoja na upana na conductivity ya njia ya kufanya. Wakati Vgs inapozidi voltage ya kizingiti Vt, kituo cha uendeshaji kinaundwa na MOSFET inaingia kwenye hali; wakati Vgs iko chini ya Vt, chaneli inayoendesha hupotea na MOSFET iko katika hali ya kukatwa. Udhibiti huu unadhibitiwa kikamilifu kwa sababu voltage ya lango inaweza kujitegemea na kwa usahihi kudhibiti hali ya uendeshaji ya MOSFET bila kutegemea vigezo vingine vya sasa au voltage.
Kwa kulinganisha, hali ya uendeshaji ya vifaa vya kudhibiti nusu (kwa mfano, thyristors) haiathiri tu na voltage ya udhibiti au ya sasa, lakini pia na mambo mengine (kwa mfano, anode voltage, sasa, nk). Kwa hivyo, vifaa vinavyodhibitiwa kikamilifu (kwa mfano, MOSFETs) kwa kawaida hutoa utendaji bora katika suala la usahihi wa udhibiti na kubadilika.
Kwa muhtasari, MOSFET ni vifaa vinavyodhibitiwa kikamilifu ambavyo hali ya uendeshaji inadhibitiwa kabisa na voltage ya lango, na ina faida za usahihi wa juu, kubadilika kwa juu na matumizi ya chini ya nguvu.
Muda wa kutuma: Sep-20-2024
