Transistor ya Athari ya Sehemu iliyofupishwa kamaMOSFET.Kuna aina mbili kuu: mirija ya athari ya shamba ya makutano na mirija ya athari ya shamba ya semiconductor ya chuma-oksidi. MOSFET pia inajulikana kama transistor ya unipolar na wabebaji wengi wanaohusika katika upitishaji. Ni vifaa vya semiconductor vinavyodhibitiwa na voltage. Kutokana na upinzani wake wa juu wa pembejeo, kelele ya chini, matumizi ya chini ya nguvu, na sifa nyingine, na kuifanya kuwa mshindani mkubwa kwa transistors za bipolar na transistors za nguvu.
I. Vigezo kuu vya MOSFET
1, vigezo vya DC
Mkondo wa kueneza maji unaweza kufafanuliwa kama mkondo wa maji unaolingana na wakati voltage kati ya lango na chanzo ni sawa na sifuri na voltage kati ya mifereji ya maji na chanzo ni kubwa kuliko voltage ya kuzimwa.
Bana-off voltage UP: UGS inahitajika kupunguza kitambulisho kwa mkondo mdogo wakati UDS ni hakika;
Voltage ya kuwasha UT: UGS inahitajika kuleta kitambulisho kwa thamani fulani wakati UDS ni hakika.
2, Vigezo vya AC
Gm ya upitishaji wa masafa ya chini : Inaelezea athari ya udhibiti wa lango na voltage ya chanzo kwenye mkondo wa maji.
Uwezo wa inter-pole: uwezo kati ya elektrodi tatu za MOSFET, thamani ndogo, utendaji bora zaidi.
3, Punguza vigezo
Vunja, voltage ya kuvunjika kwa chanzo: wakati mkondo wa kukimbia unapoongezeka kwa kasi, itazalisha kuvunjika kwa theluji wakati UDS.
Lango kuvunjika voltage: makutano shamba athari tube operesheni ya kawaida, lango na chanzo kati ya makutano ya PN katika hali ya nyuma upendeleo, sasa ni kubwa mno kuzalisha kuvunjika.
II. Sifa zaMOSFETs
MOSFET ina kazi ya kukuza na inaweza kuunda mzunguko ulioimarishwa. Ikilinganishwa na triode, ina sifa zifuatazo.
(1) MOSFET ni kifaa kinachodhibitiwa na voltage, na uwezo unadhibitiwa na UGS;
(2) Ya sasa katika pembejeo ya MOSFET ni ndogo sana, hivyo upinzani wake wa pembejeo ni wa juu sana;
(3) Uthabiti wa halijoto yake ni nzuri kwa sababu hutumia vibebaji vingi kwa upitishaji;
(4) Mgawo wa amplification wa voltage ya mzunguko wake wa ukuzaji ni mdogo kuliko ule wa triode;
(5) Ni sugu zaidi kwa mionzi.
Tatu,MOSFET na kulinganisha transistor
(1) MOSFET chanzo, lango, mifereji ya maji na triode chanzo, msingi, kuweka hatua pole sambamba na jukumu la sawa.
(2) MOSFET ni kifaa cha sasa kinachodhibitiwa na voltage, mgawo wa ukuzaji ni mdogo, uwezo wa kukuza ni duni; triode ni kifaa cha voltage kinachodhibitiwa na sasa, uwezo wa kukuza ni nguvu.
(3) lango la MOSFET kimsingi halichukui mkondo; na kazi ya triode, msingi utachukua sasa fulani. Kwa hiyo, upinzani wa pembejeo la lango la MOSFET ni kubwa zaidi kuliko upinzani wa pembejeo wa triode.
(4) Mchakato wa conductive wa MOSFET una ushiriki wa polytron, na triode ina ushiriki wa aina mbili za flygbolag, polytron na oligotron, na mkusanyiko wake wa oligotron huathiriwa sana na hali ya joto, mionzi na mambo mengine, kwa hiyo, MOSFET. ina utulivu bora wa joto na upinzani wa mionzi kuliko transistor. MOSFET inapaswa kuchaguliwa wakati hali ya mazingira inabadilika sana.
(5) Wakati MOSFET imeunganishwa na chuma cha chanzo na substrate, chanzo na kukimbia kunaweza kubadilishwa na sifa hazibadilika sana, wakati mtozaji na mtoaji wa transistor hubadilishwa, sifa ni tofauti na thamani ya β. imepunguzwa.
(6) Kielelezo cha kelele cha MOSFET ni kidogo.
(7) MOSFET na triode zinaweza kujumuisha aina mbalimbali za mizunguko ya amplifier na nyaya za kubadili, lakini ya zamani hutumia nguvu kidogo, utulivu wa juu wa mafuta, aina mbalimbali za voltage ya ugavi, kwa hiyo inatumiwa sana katika kiwango kikubwa na kikubwa zaidi. punguza mizunguko iliyojumuishwa.
(8) Upinzani wa onyo wa triode ni kubwa, na upinzani dhidi ya MOSFET ni mdogo, kwa hivyo MOSFETs kwa ujumla hutumiwa kama swichi zenye ufanisi wa juu.
Muda wa kutuma: Mei-16-2024
