Metal-Oxide-SemIkondukta muundo wa transistor kioo inajulikana kamaMOSFET, ambapo MOSFET zimegawanywa katika MOSFET za aina ya P na MOSFET za aina ya N. Saketi zilizojumuishwa zinazojumuisha MOSFET pia huitwa saketi zilizojumuishwa za MOSFET, na saketi zilizounganishwa za MOSFET zinazojumuisha PMOSFETs na.NMOSFETs huitwa nyaya zilizounganishwa za CMOSFET.
MOSFET inayojumuisha sehemu ndogo ya p na sehemu mbili za n-kueneza zenye viwango vya juu vya mkusanyiko huitwa n-chaneli.MOSFET, na njia ya conductive inayosababishwa na njia ya conductive ya aina ya n inasababishwa na njia za n-kueneza katika njia mbili za n-kueneza na maadili ya juu ya mkusanyiko wakati tube inafanya. N-channel thickened MOSFETs ina n-channel inayosababishwa na njia ya conductive wakati mwelekeo mzuri wa mwelekeo unafufuliwa iwezekanavyo kwenye lango na tu wakati operesheni ya chanzo cha lango inahitaji voltage ya uendeshaji inayozidi voltage ya kizingiti. MOSFET za kupungua kwa njia ni zile ambazo haziko tayari kwa voltage ya lango (operesheni ya chanzo cha lango inahitaji voltage ya uendeshaji ya sifuri). MOSFET ya kupungua kwa nuru ya n-channel ni MOSFET ya n-channel ambayo njia ya conductive inasababishwa wakati voltage ya lango (voltage ya uendeshaji ya mahitaji ya chanzo cha lango ni sifuri) haijatayarishwa.
Mizunguko iliyojumuishwa ya NMOSFET ni mzunguko wa usambazaji wa umeme wa N-channel MOSFET, mizunguko iliyojumuishwa ya NMOSFET, upinzani wa pembejeo ni wa juu sana, walio wengi hawalazimiki kuchimba unyonyaji wa mtiririko wa nguvu, na kwa hivyo mizunguko iliyounganishwa ya CMOSFET na NMOSFET iliyounganishwa bila kulazimika kuchukua. akaunti mzigo wa mtiririko wa nguvu.NMOSFET jumuishi nyaya, idadi kubwa ya uteuzi wa kundi moja chanya byte ugavi wa usambazaji wa umeme nyaya za usambazaji wa umeme Wingi wa NMOSFET jumuishi saketi kutumia chanya byte moja chanya ugavi wa usambazaji wa umeme mzunguko wa usambazaji wa nguvu, na 9V kwa zaidi. Saketi zilizounganishwa za CMOSFET zinahitaji tu kutumia saketi sawa ya ugavi wa umeme kama saketi jumuishi za NMOSFET, zinaweza kuunganishwa na saketi zilizounganishwa za NMOSFET mara moja. Hata hivyo, kutoka NMOSFET hadi CMOSFET imeunganishwa mara moja, kwa sababu upinzani wa kuvuta-up wa pato la NMOSFET ni chini ya upinzani wa kuunganisha wa mzunguko wa CMOSFET uliounganishwa, kwa hiyo jaribu kutumia upinzani unaowezekana wa kuvuta-up R, thamani ya upinzani R ni. kwa ujumla 2 hadi 100KΩ.
Ujenzi wa N-chaneli zenye unene wa MOSFET
Kwenye sehemu ndogo ya silikoni ya aina ya P yenye thamani ya chini ya ukolezi wa doping, maeneo mawili ya N yenye thamani ya juu ya mkusanyiko wa dawa za kuongeza nguvu mwilini hutengenezwa, na elektrodi mbili hutolewa kutoka kwa chuma cha alumini ili kutumika kama d na chanzo s, mtawalia.
Kisha katika sehemu ya semiconductor uso Masking safu nyembamba sana ya silika kuhami tube, katika kukimbia - chanzo kuhami tube kati ya kukimbia na chanzo cha electrode nyingine alumini, kama lango g.
Katika substrate pia kusababisha electrode B, ambayo ina N-channel nene MOSFET. Chanzo cha MOSFET na substrate kwa ujumla huunganishwa pamoja, idadi kubwa ya bomba katika kiwanda imeunganishwa kwa muda mrefu, lango lake na electrodes nyingine ni maboksi kati ya casing.
Muda wa kutuma: Mei-26-2024
