Uchaguzi waMOSFETni muhimu sana, uchaguzi mbaya unaweza kuathiri matumizi ya nguvu ya mzunguko mzima, bwana nuances ya vipengele mbalimbali MOSFET na vigezo katika nyaya mbalimbali byte inaweza kusaidia wahandisi kuepuka matatizo mengi, yafuatayo ni baadhi ya mapendekezo ya Guanhua Weiye. kwa uteuzi wa MOSFETs.
Kwanza, P-chaneli na N-chaneli
Hatua ya kwanza ni kuamua matumizi ya N-channel au P-channel MOSFETs. katika maombi ya nguvu, wakati ardhi MOSFET, na mzigo ni kushikamana na voltage shina, theMOSFETinajumuisha swichi ya upande wa chini-voltage. Katika ubadilishaji wa upande wa voltage ya chini, N-channel MOSFETs hutumiwa kwa ujumla, ambayo ni kuzingatia kwa voltage inayohitajika kuzima au kuwasha kifaa. Wakati MOSFET imeunganishwa kwenye basi na ardhi ya mzigo, kubadili upande wa voltage ya juu hutumiwa. P-channel MOSFETs hutumiwa kwa kawaida, kutokana na masuala ya gari la voltage. Ili kuchagua vipengele vyema vya maombi, ni muhimu kuamua voltage inayohitajika kuendesha kifaa na jinsi ilivyo rahisi kutekeleza katika kubuni. Hatua inayofuata ni kuamua kiwango cha voltage kinachohitajika, au voltage ya juu ambayo sehemu inaweza kubeba. Kiwango cha juu cha voltage, gharama ya kifaa ni kubwa zaidi. Katika mazoezi, rating ya voltage inapaswa kuwa kubwa kuliko voltage ya shina au basi. Hii itatoa ulinzi wa kutosha ili MOSFET isishindwe. Kwa uteuzi wa MOSFET, ni muhimu kuamua voltage ya juu ambayo inaweza kuhimili kutoka kwa kukimbia hadi chanzo, yaani, kiwango cha juu cha VDS, kwa hiyo ni muhimu kujua kwamba voltage ya juu ambayo MOSFET inaweza kuhimili inatofautiana na joto. Waumbaji wanahitaji kupima kiwango cha voltage juu ya safu nzima ya joto ya uendeshaji. Voltage iliyokadiriwa inahitaji kuwa na ukingo wa kutosha kufunika safu hii ili kuhakikisha kuwa saketi haishindwi. Kwa kuongeza, mambo mengine ya usalama yanahitajika kuzingatiwa transients induced voltage.
Pili, tambua ukadiriaji wa sasa
Ukadiriaji wa sasa wa MOSFET unategemea muundo wa mzunguko. Ukadiriaji wa sasa ni kiwango cha juu cha sasa ambacho mzigo unaweza kuhimili chini ya hali zote. Sawa na kesi ya voltage, mbuni anahitaji kuhakikisha kuwa MOSFET iliyochaguliwa ina uwezo wa kubeba mkondo huu uliokadiriwa, hata wakati mfumo hutoa mkondo wa mwinuko. Matukio mawili ya sasa ya kuzingatia ni hali ya kuendelea na mipigo ya moyo. MOSFET iko katika hali ya utulivu katika hali ya upitishaji inayoendelea, wakati sasa inapita kwa kuendelea kupitia kifaa. Vipuli vya kunde hurejelea idadi kubwa ya mawimbi (au spikes ya sasa) inapita kupitia kifaa, katika hali hiyo, mara tu kiwango cha juu cha sasa kinapojulikana, ni suala la kuchagua moja kwa moja kifaa ambacho kinaweza kuhimili sasa kiwango cha juu.
Baada ya kuchagua sasa iliyopimwa, hasara ya uendeshaji pia imehesabiwa. Katika kesi maalum,MOSFETsi vipengele vyema kwa sababu ya hasara za umeme zinazotokea wakati wa mchakato wa conductive, kinachojulikana hasara za uendeshaji. Wakati "umewasha", MOSFET hufanya kazi ya kupinga kutofautiana, ambayo imedhamiriwa na RDS (ON) ya kifaa na hubadilika kwa kiasi kikubwa na joto. Upotevu wa nguvu wa kifaa unaweza kuhesabiwa kutoka kwa Iload2 x RDS(ON), na kwa kuwa upinzani wa on-upinzani hutofautiana na halijoto, upotevu wa nishati hutofautiana sawia. Ya juu ya VGS ya voltage inayotumiwa kwa MOSFET, chini ya RDS (ON); kinyume chake, juu ya RDS(ON). Kwa mbuni wa mfumo, hapa ndipo mabadiliko yanatokea kulingana na voltage ya mfumo. Kwa miundo ya portable, voltages ya chini ni rahisi (na zaidi ya kawaida), wakati kwa miundo ya viwanda, voltages ya juu inaweza kutumika. Kumbuka kwamba upinzani wa RDS (ON) huongezeka kidogo na sasa.
Teknolojia ina athari kubwa kwa sifa za vipengele, na baadhi ya teknolojia huwa na matokeo ya kuongezeka kwa RDS(ON) wakati wa kuongeza kiwango cha juu cha VDS. Kwa teknolojia kama hizo, ongezeko la saizi ya kaki inahitajika ikiwa VDS na RDS(ON) zitapunguzwa, na hivyo kuongeza saizi ya kifurushi kinachoendana nacho na gharama inayolingana ya ukuzaji. Kuna idadi ya teknolojia katika sekta hiyo ambayo inajaribu kudhibiti ongezeko la ukubwa wa kaki, muhimu zaidi ambayo ni teknolojia ya mifereji na usawa wa malipo. Katika teknolojia ya mitaro, mfereji wa kina huwekwa kwenye kaki, kawaida huhifadhiwa kwa voltages za chini, ili kupunguza upinzani wa juu wa RDS(ON).
III. Amua mahitaji ya uondoaji wa joto
Hatua inayofuata ni kuhesabu mahitaji ya joto ya mfumo. Matukio mawili tofauti yanahitaji kuzingatiwa, kesi mbaya zaidi na kesi halisi. TPV inapendekeza kuhesabu matokeo kwa hali mbaya zaidi, kwani hesabu hii hutoa kiwango kikubwa cha usalama na inahakikisha kuwa mfumo hautashindwa.
IV. Kubadilisha Utendaji
Hatimaye, utendaji wa kubadili MOSFET. Kuna vigezo vingi vinavyoathiri utendaji wa kubadili, muhimu ni lango / kukimbia, lango / chanzo na uwezo wa kukimbia / chanzo. Uwezo huu huunda hasara za ubadilishaji katika sehemu kwa sababu ya hitaji la kuzitoza kila wakati zinapowashwa. Matokeo yake, kasi ya kubadili MOSFET inapungua na ufanisi wa kifaa hupungua. Ili kuhesabu jumla ya hasara kwenye kifaa wakati wa kubadili, mbuni anahitaji kuhesabu hasara wakati wa kuwasha (Eon) na hasara wakati wa kuzima (Eoff). Hii inaweza kuonyeshwa kwa mlinganyo ufuatao: Psw = (Eon + Eoff) x mzunguko wa kubadili. Na malipo ya lango (Qgd) ina athari kubwa zaidi katika utendakazi wa kubadili.
Muda wa kutuma: Apr-22-2024
