Kama moja ya vifaa vya msingi katika uwanja wa semiconductor, MOSFET hutumiwa sana katika muundo wa IC na matumizi ya mzunguko wa kiwango cha bodi. Kwa hivyo ni kiasi gani unajua kuhusu vigezo mbalimbali vya MOSFET? Kama mtaalamu wa MOSFETs za voltage ya kati na ya chini,Olukeyitakuelezea kwa undani vigezo mbalimbali vya MOSFETs!
VDSS upeo wa chanzo-chanzo cha kukimbia kuhimili voltage
Voltage ya chanzo cha kukimbia wakati mkondo wa maji unaotiririka unafikia thamani maalum (huongezeka kwa kasi) chini ya joto maalum na mzunguko mfupi wa chanzo cha lango. Voltage ya chanzo cha kukimbia katika kesi hii pia inaitwa voltage ya kuvunjika kwa anguko. VDSS ina mgawo chanya wa joto. Kwa -50°C, VDSS ni takriban 90% ya hiyo katika 25°C. Kutokana na posho kawaida kushoto katika uzalishaji wa kawaida, Banguko kuvunjika voltage yaMOSFETdaima ni kubwa kuliko voltage iliyokadiriwa ya kawaida.
Kikumbusho cha joto cha Olukey: Ili kuhakikisha uaminifu wa bidhaa, chini ya hali mbaya zaidi ya kazi, inashauriwa kuwa voltage ya kazi haipaswi kuzidi 80 ~ 90% ya thamani iliyopimwa.
VGSS upeo wa lango-chanzo kuhimili voltage
Inarejelea thamani ya VGS wakati mkondo wa nyuma kati ya lango na chanzo huanza kuongezeka kwa kasi. Kuzidi thamani hii ya voltage kutasababisha kuvunjika kwa dielectric ya safu ya oksidi ya lango, ambayo ni uharibifu usioweza kurekebishwa.
ID ya upeo wa sasa wa chanzo cha maji
Inarejelea kiwango cha juu kinachoruhusiwa kupita kati ya bomba na chanzo wakati transistor ya athari ya shamba inafanya kazi kawaida. Uendeshaji wa sasa wa MOSFET haupaswi kuzidi kitambulisho. Kigezo hiki kitapungua kadri halijoto ya makutano inavyoongezeka.
Upeo wa sasa wa chanzo cha mipigo ya moyo wa IDM
Huakisi kiwango cha mapigo ya sasa ambayo kifaa kinaweza kushughulikia. Kigezo hiki kitapungua kadiri halijoto ya makutano inavyoongezeka. Ikiwa kigezo hiki ni kidogo sana, mfumo unaweza kuwa katika hatari ya kuvunjika na mkondo wakati wa majaribio ya OCP.
Uondoaji wa nguvu wa juu wa PD
Inarejelea kiwango cha juu zaidi cha utenganishaji wa nguvu ya chanzo cha unyevu unaoruhusiwa bila kuzorota utendakazi wa transistor ya athari ya uga. Inapotumiwa, matumizi halisi ya nguvu ya transistor ya athari ya shamba inapaswa kuwa chini ya ile ya PDSM na kuacha ukingo fulani. Kigezo hiki kwa ujumla hupungua kadri halijoto ya makutano inavyoongezeka.
TJ, TSTG halijoto ya kufanya kazi na anuwai ya halijoto ya kuhifadhi
Vigezo hivi viwili hurekebisha kiwango cha joto cha makutano kinachoruhusiwa na mazingira ya uendeshaji na kuhifadhi ya kifaa. Kiwango hiki cha halijoto kimewekwa ili kukidhi mahitaji ya chini ya maisha ya uendeshaji ya kifaa. Ikiwa kifaa kinahakikisha kufanya kazi ndani ya kiwango hiki cha joto, maisha yake ya kazi yatapanuliwa sana.
Muda wa kutuma: Dec-15-2023
