Je! ni maeneo gani manne ya MOSFET?

 

Mikoa minne ya MOSFET ya uboreshaji wa kituo cha N

(1) Eneo la upinzani linalobadilika (pia huitwa eneo lisilojaa)

Ucs" Ucs (th) (voltage ya kuwasha), uDs" UGs-Ucs (th), ni eneo lililo upande wa kushoto wa ufuatiliaji uliowekwa kwenye kielelezo ambapo chaneli imewashwa. Thamani ya UD ni ndogo katika eneo hili, na upinzani wa chaneli kimsingi unadhibitiwa na UGs. Wakati uGs ni hakika, ip na uDs katika uhusiano wa mstari, eneo linakadiriwa kama seti ya mistari iliyonyooka. Kwa wakati huu, bomba la athari ya shamba D, S kati ya sawa na UGS ya voltage

Inadhibitiwa na upinzani wa kutofautiana wa UGS wa voltage.

(2) eneo la sasa lisilobadilika (pia linajulikana kama eneo la kueneza, eneo la ukuzaji, eneo linalotumika)

Ucs ≥ Ucs (h) na Ubs ≥ UcsUssth), kwa kielelezo cha upande wa kulia wa wimbo wa kabla ya kubana, lakini bado haujavunjwa katika eneo, katika eneo, wakati uGs lazima iwe, ib karibu haifanyiki. mabadiliko na UDs, ni sifa ya mara kwa mara-sasa. i inadhibitiwa tu na UGs, basi MOSFETD, S ni sawa na udhibiti wa uGs wa voltage ya chanzo cha sasa. MOSFET hutumiwa katika mizunguko ya kukuza, kwa ujumla juu ya kazi ya MOSFET D, S ni sawa na chanzo cha sasa cha udhibiti wa uGs. MOSFET kutumika katika saketi amplification, kwa ujumla kazi katika kanda, hivyo pia inajulikana kama eneo amplification.

(3) Eneo la kukatwa vipande vipande (pia huitwa eneo la kukata)

Sehemu ya klipua (pia inajulikana kama eneo la kukatwa) ili kukutana na ucs "Ues (th) kwa kielelezo karibu na mhimili mlalo wa eneo, chaneli yote imebanwa, inayojulikana kama klipu kamili imezimwa, io = 0 , bomba haifanyi kazi.

(4) eneo la kugawanyika

Eneo la kuvunjika liko katika kanda upande wa kulia wa takwimu. Kwa UD zinazoongezeka, makutano ya PN yanakabiliwa na voltage nyingi za nyuma na kuvunjika, ip huongezeka kwa kasi. Bomba linapaswa kuendeshwa ili kuzuia kufanya kazi katika eneo la kuvunjika. Curve ya tabia ya uhamishaji inaweza kutolewa kutoka kwa curve ya tabia ya pato. Kwenye njia inayotumika kama grafu kupata. Kwa mfano, katika Mchoro 3 (a) kwa Ubs = 6V mstari wa wima, makutano yake na mikondo mbalimbali inayolingana na i, Us maadili katika ib- Uss kuratibu zilizounganishwa na curve, yaani, kupata curve ya tabia ya uhamisho.

Vigezo vyaMOSFET

Kuna vigezo vingi vya MOSFET, ikiwa ni pamoja na vigezo vya DC, vigezo vya AC na vigezo vya kikomo, lakini ni vigezo kuu vifuatavyo tu vinavyohitaji kuhusika katika matumizi ya kawaida: saturated drain-source current IDSS Bana-off voltage Up, (mirija ya aina ya makutano na kupungua -aina ya mirija ya lango lililowekwa maboksi, au voltage ya kuwasha UT (mirija ya lango iliyoimarishwa), gm ya trans-conductance, BUDS za voltage ya kuvunjika kwa chanzo cha uvujaji, PDSM ya juu zaidi ya kutoweka, na IDSM ya sasa ya chanzo cha juu cha kukimbia.

(1) Mkondo uliojaa maji

IDSS ya sasa ya maji taka ni mkondo wa maji katika makutano au aina ya upungufu wa maboksi ya MOSFET wakati voltage ya lango UGS = 0.

(2) Kikomo cha voltage

Bana-off voltage UP ni voltage ya lango katika aina ya makutano au kupungua-aina ya maboksi ya MOSFET ambayo hukata tu kati ya bomba na chanzo. Kama inavyoonyeshwa katika 4-25 kwa N-channel tube UGS Curve ID, inaweza kueleweka kuona umuhimu wa IDSS na UP.

MOSFET mikoa minne

(3) Voltage ya kuwasha

Voltage ya kuwasha UT ni voltage ya lango katika MOSFET ya lango lililoimarishwa ambalo hufanya chanzo cha mifereji ya maji kiwe bora.

(4) Uendeshaji

Gm ya transconductance ni uwezo wa udhibiti wa voltage ya chanzo cha lango UGS kwenye kitambulisho cha sasa cha kukimbia, yaani, uwiano wa mabadiliko katika kitambulisho cha sasa cha kukimbia kwa mabadiliko katika voltage ya chanzo cha lango UGS. 9m ni kigezo muhimu kinachopima uwezo wa ukuzaji waMOSFET.

(5) Vunja chanzo cha voltage

Mfereji wa chanzo kuvunjika voltage BUDS inahusu lango chanzo voltage UGS fulani, MOSFET operesheni ya kawaida inaweza kukubali upeo kukimbia chanzo voltage. Hii ni kigezo cha kikomo, kilichoongezwa kwa voltage ya uendeshaji ya MOSFET lazima iwe chini ya BUDS.

(6) Kiwango cha Juu cha Usambazaji wa Nguvu

Upeo wa kutoweka kwa nguvu PDSM pia ni kigezo cha kikomo, kinarejeleaMOSFETutendakazi hauharibiki wakati utawanyiko wa nguvu wa chanzo cha uvujaji unaoruhusiwa. Wakati wa kutumia MOSFET matumizi ya nguvu ya vitendo inapaswa kuwa chini ya PDSM na kuacha kiasi fulani.

(7) Kiwango cha Juu cha Mtiririko wa Maji Sasa

Kiwango cha juu cha uvujaji wa sasa wa IDSM ni kigezo kingine cha kikomo, kinarejelea utendakazi wa kawaida wa MOSFET, chanzo cha uvujaji cha kiwango cha juu kinachoruhusiwa kupita kupitia mkondo wa uendeshaji wa MOSFET haipaswi kuzidi IDSM.

Kanuni ya Uendeshaji ya MOSFET

Kanuni ya uendeshaji wa MOSFET (N-channel ya kukuza MOSFET) ni kutumia VGS kudhibiti kiasi cha "malipo ya kufata neno", ili kubadilisha hali ya chaneli ya kupitishia inayoundwa na hizi "chaji ya kufata neno", na kisha kufikia lengo. ya kudhibiti mkondo wa kukimbia. Kusudi ni kudhibiti mkondo wa kukimbia. Katika utengenezaji wa zilizopo, kwa njia ya mchakato wa kufanya idadi kubwa ya ions chanya katika safu ya kuhami, hivyo katika upande wa pili wa interface inaweza kuwa ikiwa mashtaka zaidi hasi, mashtaka haya hasi inaweza kuwa ikiwa.

Wakati voltage ya lango inabadilika, kiasi cha malipo kilichoingizwa kwenye kituo pia kinabadilika, upana wa kituo cha conductive pia hubadilika, na hivyo kitambulisho cha sasa cha kukimbia kinabadilika na voltage ya lango.

Jukumu la MOSFET

I. MOSFET inaweza kutumika kwa ukuzaji. Kwa sababu ya impedance ya juu ya pembejeo ya amplifier ya MOSFET, capacitor ya kuunganisha inaweza kuwa na uwezo mdogo, bila matumizi ya capacitors electrolytic.

Pili, impedance ya juu ya pembejeo ya MOSFET inafaa sana kwa uongofu wa impedance. Kawaida hutumika katika hatua ya pembejeo ya amplifier ya hatua nyingi kwa ubadilishaji wa impedance.

MOSFET inaweza kutumika kama kipingamizi tofauti.

Nne, MOSFET inaweza kutumika kwa urahisi kama chanzo cha sasa cha mara kwa mara.

Tano, MOSFET inaweza kutumika kama swichi ya kielektroniki.