Wakati wa kubuni usambazaji wa umeme wa kubadilisha au mzunguko wa gari la gari kwa kutumiaMOSFETs, vipengele kama vile upinzani dhidi ya umeme, kiwango cha juu cha voltage, na kiwango cha juu cha sasa cha MOS huzingatiwa kwa ujumla.
Mirija ya MOSFET ni aina ya FET inayoweza kutengenezwa kama aina ya uboreshaji au kupungua, P-channel au N-channel kwa jumla ya aina 4. NMOSFET za uboreshaji na PMOSFET za uboreshaji hutumiwa kwa ujumla, na hizi mbili kwa kawaida hutajwa.
Hizi mbili hutumiwa zaidi ni NMOS. sababu ni kwamba upinzani conductive ni ndogo na rahisi kutengeneza. Kwa hiyo, NMOS hutumiwa kwa kawaida katika kubadili ugavi wa umeme na programu za kuendesha gari.
Ndani ya MOSFET, thyristor huwekwa kati ya bomba na chanzo, ambayo ni muhimu sana katika kuendesha mizigo ya kufata kama vile motors, na inapatikana tu kwenye MOSFET moja, sio kawaida katika chip jumuishi cha mzunguko.
Uwezo wa vimelea upo kati ya pini tatu za MOSFET, sio kwamba tunaihitaji, lakini kwa sababu ya mapungufu ya mchakato wa utengenezaji. Uwepo wa capacitance ya vimelea hufanya kuwa mbaya zaidi wakati wa kubuni au kuchagua mzunguko wa dereva, lakini hauwezi kuepukwa.
Vigezo kuu vyaMOSFET
1, fungua voltage VT
Fungua voltage (pia inajulikana kama voltage ya kizingiti): ili voltage ya lango inahitajika kuanza kutengeneza njia ya conductive kati ya chanzo S na kukimbia D; kiwango cha N-channel MOSFET, VT ni karibu 3 ~ 6V; kupitia uboreshaji wa mchakato, thamani ya MOSFET VT inaweza kupunguzwa hadi 2 ~ 3V.
2, DC upinzani pembejeo RGS
Uwiano wa voltage iliyoongezwa kati ya nguzo ya chanzo cha lango na sasa lango Tabia hii wakati mwingine inaonyeshwa na lango la sasa linalopita kupitia lango, RGS ya MOSFET inaweza kuzidi 1010Ω kwa urahisi.
3. Futa chanzo kuvunjika BVDS voltage.
Chini ya hali ya VGS = 0 (iliyoimarishwa), katika mchakato wa kuongeza voltage ya chanzo cha kukimbia, kitambulisho huongezeka kwa kasi wakati VDS inaitwa BVDS ya kuvunjika kwa chanzo cha kukimbia, kitambulisho kinaongezeka kwa kasi kutokana na sababu mbili: (1) Banguko. kuvunjika kwa safu ya kupungua karibu na bomba la maji, (2) kuvunjika kwa kupenya kati ya mifereji ya maji na nguzo za chanzo, baadhi ya MOSFETs, ambazo zina urefu mfupi wa mfereji, huongeza VDS ili safu ya kukimbia katika eneo la kukimbia imepanuliwa hadi eneo la chanzo; kufanya urefu wa Channel ni sifuri, yaani, kuzalisha kupenya kwa chanzo cha kukimbia, kupenya, wengi wa flygbolag katika eneo la chanzo watavutiwa moja kwa moja na uwanja wa umeme wa safu ya kupungua kwa eneo la kukimbia, na kusababisha kitambulisho kikubwa. .
4, lango chanzo kuvunjika voltage BVGS
Wakati voltage ya lango imeongezeka, VGS wakati IG imeongezeka kutoka sifuri inaitwa voltage ya kuvunjika kwa chanzo cha lango BVGS.
5,Upitishaji wa masafa ya chini
Wakati VDS ni thamani ya kudumu, uwiano wa microvariation ya mkondo wa kukimbia kwa microvariation ya voltage ya chanzo cha lango ambayo husababisha mabadiliko inaitwa transconductance, ambayo inaonyesha uwezo wa voltage ya chanzo cha lango kudhibiti mkondo wa kukimbia, na ni parameta muhimu ambayo ni sifa ya uwezo wa ukuzaji waMOSFET.
6, juu ya upinzani RON
RON inayokinza inaonyesha athari ya VDS kwenye kitambulisho, ni kinyume cha mteremko wa laini ya tangent ya sifa za kukimbia kwa hatua fulani, katika eneo la kueneza, ID karibu haibadilika na VDS, RON ni kubwa sana. thamani, kwa ujumla katika makumi ya kilo-Ohms hadi mamia ya kilo-Ohms, kwa sababu katika mizunguko ya dijiti, MOSFET mara nyingi hufanya kazi katika hali ya VDS = 0, kwa hivyo katika hatua hii, RON ya kupinga inaweza kukadiriwa na asili ya RON hadi kukadiria, kwa MOSFET ya jumla, thamani ya RON ndani ya ohm mia chache.
7, uwezo baina ya polar
Uwezo wa interpolar upo kati ya elektrodi tatu: uwezo wa chanzo cha lango CGS, uwezo wa kusukuma maji lango CGD na uwezo wa chanzo cha kukimbia CDS-CGS na CGD ni takriban 1~3pF, CDS ni takriban 0.1~1pF.
8,Sababu ya chini ya kelele
Kelele husababishwa na makosa katika harakati za wabebaji kwenye bomba. Kwa sababu ya uwepo wake, tofauti ya voltage isiyo ya kawaida au ya sasa hutokea kwenye pato hata ikiwa hakuna ishara iliyotolewa na amplifier. Utendaji wa kelele kawaida huonyeshwa kulingana na kipengele cha kelele NF. Kitengo ni decibel (dB). Thamani ndogo, kelele kidogo ya bomba hutoa. Kipengele cha kelele cha masafa ya chini ni kipengele cha kelele kinachopimwa katika masafa ya masafa ya chini. Sababu ya kelele ya bomba la athari ya shamba ni karibu dB chache, chini ya ile ya triode ya bipolar.
Muda wa kutuma: Apr-24-2024
