PMOSFET ni nini, unajua?

I. Muundo wa msingi na kanuni ya kazi

1. Muundo wa msingi

PMOSFETs zina substrates za aina ya n na p-channels, na muundo wao hasa una lango (G), chanzo (S) na kukimbia (D). Kwenye substrate ya silicon ya aina ya n, kuna maeneo mawili ya P+ ambayo hutumika kama chanzo na kukimbia, mtawaliwa, na yameunganishwa kwa kila mmoja kupitia p-chaneli. Lango iko juu ya chaneli na imetengwa na kituo na safu ya kuhami ya oksidi ya chuma.

2. Kanuni za uendeshaji

PMOSFETs hufanya kazi sawa na NMOSFET, lakini kwa aina tofauti ya wabebaji. Katika PMOSFET, flygbolag kuu ni mashimo. Wakati voltage hasi inatumiwa kwenye lango kwa heshima na chanzo, safu ya inverse ya aina ya p huundwa kwenye uso wa silicon ya aina ya n chini ya lango, ambayo hutumika kama mfereji wa kuunganisha chanzo na kukimbia. Kubadilisha voltage ya lango hubadilisha wiani wa mashimo kwenye chaneli, na hivyo kudhibiti conductivity ya chaneli. Wakati voltage ya lango iko chini ya kutosha, wiani wa mashimo kwenye kituo hufikia kiwango cha juu cha kutosha kuruhusu uendeshaji kati ya chanzo na kukimbia; kinyume chake, kituo kinakata.

II. Tabia na maombi

1. Sifa

Uhamaji wa Chini: Transistors za MOS za P-chaneli zina uhamaji wa shimo la chini, kwa hivyo upitishaji wa transistors za PMOS ni ndogo kuliko ule wa transistors za NMOS chini ya jiometri sawa na voltage ya uendeshaji.

Yanafaa kwa ajili ya maombi ya kasi ya chini, ya chini ya mzunguko: Kutokana na uhamaji wa chini, nyaya zilizounganishwa za PMOS zinafaa zaidi kwa programu katika maeneo ya kasi ya chini, ya chini ya mzunguko.

Masharti ya upitishaji: Masharti ya uendeshaji wa PMOSFET ni kinyume na NMOSFETs, inayohitaji voltage ya lango chini ya voltage ya chanzo.

 

1. Maombi

Ubadilishaji wa Upande wa Juu: PMOSFETs kwa kawaida hutumiwa katika usanidi wa ubadilishaji wa upande wa juu ambapo chanzo huunganishwa kwa usambazaji chanya na mfereji wa maji huunganishwa hadi mwisho mzuri wa mzigo. Wakati PMOSFET inafanya, inaunganisha mwisho mzuri wa mzigo kwa ugavi mzuri, kuruhusu sasa inapita kupitia mzigo. Usanidi huu ni wa kawaida sana katika maeneo kama vile usimamizi wa nguvu na viendeshi vya gari.

Mizunguko ya Ulinzi wa Kinyume: PMOSFET pia inaweza kutumika katika mizunguko ya ulinzi ya kinyume ili kuzuia uharibifu wa mzunguko unaosababishwa na usambazaji wa nishati ya nyuma au upakiaji wa nyuma wa sasa.

III. Kubuni na kuzingatia

1. KUDHIBITI VOLTAGE YA LANGO

Wakati wa kutengeneza nyaya za PMOSFET, udhibiti sahihi wa voltage ya lango unahitajika ili kuhakikisha uendeshaji sahihi. Kwa kuwa hali za uendeshaji wa PMOSFET ni kinyume na zile za NMOSFETs, tahadhari inahitaji kulipwa kwa polarity na ukubwa wa voltage ya lango.

2. Uunganisho wa mzigo

Wakati wa kuunganisha mzigo, tahadhari inahitaji kulipwa kwa polarity ya mzigo ili kuhakikisha kwamba sasa inapita kwa usahihi kupitia PMOSFET, na athari za mzigo kwenye utendaji wa PMOSFET, kama vile kushuka kwa voltage, matumizi ya nguvu, nk. , pia inahitaji kuzingatiwa.

3. Utulivu wa joto

Utendaji wa PMOSFET huathiriwa sana na halijoto, hivyo athari za halijoto kwenye utendaji wa PMOSFETs zinahitajika kuzingatiwa wakati wa kuunda mizunguko, na hatua zinazolingana zinapaswa kuchukuliwa ili kuboresha uthabiti wa halijoto ya saketi.

4. Mizunguko ya ulinzi

Ili kuzuia PMOSFET zisiharibiwe na mkondo wa umeme kupita kiasi na kuongezeka kwa umeme wakati wa operesheni, mizunguko ya ulinzi kama vile ulinzi wa kupita kiasi na ulinzi wa voltage kupita kiasi inahitaji kusakinishwa kwenye saketi. Mizunguko hii ya ulinzi inaweza kulinda PMOSFET kwa ufanisi na kupanua maisha yake ya huduma.

 

Kwa muhtasari, PMOSFET ni aina ya MOSFET yenye muundo maalum na kanuni ya kufanya kazi. Uhamaji wake wa chini na ufaafu kwa matumizi ya kasi ya chini, masafa ya chini huifanya itumike sana katika nyanja mahususi. Wakati wa kuunda nyaya za PMOSFET, tahadhari inahitaji kulipwa kwa udhibiti wa voltage ya lango, uunganisho wa mzigo, utulivu wa joto na nyaya za ulinzi ili kuhakikisha uendeshaji sahihi na uaminifu wa mzunguko.