Kuhusu MOSFET yenye nguvu ya juu imekuwa mmoja wa wahandisi wanaopenda kujadili mada, kwa hivyo tumepanga maarifa ya kawaida na yasiyo ya kawaida.MOSFET, natumai kusaidia wahandisi. Hebu tuzungumze kuhusu MOSFET, sehemu muhimu sana!
Ulinzi wa antistatic
MOSFET yenye nguvu ya juu ni bomba la athari ya uwanja wa lango la maboksi, lango halina mzunguko wa moja kwa moja wa sasa, kizuizi cha pembejeo ni cha juu sana, ni rahisi sana kusababisha mkusanyiko wa malipo tuli, na kusababisha voltage ya juu itakuwa lango na chanzo cha umeme. safu ya kuhami kati ya kuvunjika.
Wengi wa uzalishaji wa awali wa MOSFETs hawana hatua za kupambana na static, hivyo kuwa makini sana katika ulinzi na matumizi, hasa MOSFETs za nguvu ndogo, kutokana na uwezo mdogo wa pembejeo wa MOSFET ni mdogo, unapofunuliwa na umeme tuli huzalisha voltage ya juu, inayosababishwa kwa urahisi na kuvunjika kwa umeme.
Uboreshaji wa hivi karibuni wa MOSFET ya nguvu ya juu ni tofauti kubwa, kwanza kabisa, kutokana na kazi ya uwezo mkubwa wa pembejeo pia ni kubwa, ili kuwasiliana na umeme wa tuli kuna mchakato wa malipo, na kusababisha voltage ndogo, na kusababisha kuvunjika. ya uwezekano wa ndogo, na kisha tena, sasa high-nguvu MOSFET katika lango la ndani na chanzo cha lango na chanzo cha ulinzi mdhibiti DZ, tuli iliyoingia katika ulinzi wa mdhibiti diode voltage mdhibiti thamani Chini, kwa ufanisi. kulinda lango na chanzo cha safu ya kuhami, nguvu tofauti, mifano tofauti ya MOSFET ulinzi mdhibiti diode voltage mdhibiti thamani ni tofauti.
Ingawa hatua za ulinzi wa ndani za MOSFET za nguvu za juu, tunapaswa kufanya kazi kwa mujibu wa taratibu za uendeshaji za kupambana na tuli, ambazo ni wafanyakazi wa matengenezo waliohitimu wanapaswa kuwa nao.
Utambuzi na uingizwaji
Katika ukarabati wa televisheni na vifaa vya umeme, itakutana na uharibifu wa sehemu mbalimbali,MOSFETpia ni kati yao, ambayo ni jinsi wafanyakazi wetu wa matengenezo kutumia multimeter ya kawaida kutumika kuamua MOSFET nzuri na mbaya, nzuri na mbaya. Katika uingizwaji wa MOSFET ikiwa hakuna mtengenezaji sawa na mfano sawa, jinsi ya kuchukua nafasi ya tatizo.
1, mtihani wa nguvu wa juu wa MOSFET:
Kama wafanyakazi wa jumla wa ukarabati wa TV ya umeme katika kipimo cha transistors za kioo au diodi, kwa ujumla kwa kutumia multimeter ya kawaida ili kuamua transistors nzuri na mbaya au diode, ingawa hukumu ya transistor au diode vigezo vya umeme haiwezi kuthibitishwa, lakini kwa muda mrefu kama njia ni sahihi kwa uthibitisho wa transistors kioo "nzuri" na "mbaya" au "mbaya" kwa uthibitisho wa transistors kioo. "Mbaya" au hakuna shida. Vile vile, MOSFET pia inaweza kuwa
Kuomba multimeter kuamua "nzuri" na "mbaya" yake, kutoka kwa matengenezo ya jumla, inaweza pia kukidhi mahitaji.
Kugundua lazima kutumia multimeter ya aina ya pointer (mita ya digital haifai kwa kupima vifaa vya semiconductor). Kwa tube ya kubadili MOSFET ya aina ya nguvu ni uboreshaji wa chaneli ya N, bidhaa za watengenezaji karibu zote zinatumia fomu sawa ya kifurushi cha TO-220F (inarejelea usambazaji wa umeme kwa nguvu ya 50-200W ya bomba la kubadili athari ya shamba) , mpangilio wa electrode tatu pia ni thabiti, yaani, tatu
Bandika chini, modeli ya chapisha ikitazama kibinafsi, pini ya kushoto ya lango, pini ya kulia ya chanzo, pini ya kati ya bomba la maji.
(1) multimeter na maandalizi yanayohusiana:
Awali ya yote, kabla ya kipimo lazima kuwa na uwezo wa kutumia multimeter, hasa maombi ya ohm gear, kuelewa block ohm itakuwa maombi sahihi ya ohm block kupima transistor kioo na.MOSFET.
Na multimeter ohm block ohm kituo cha wadogo hawezi kuwa kubwa sana, ikiwezekana chini ya 12 Ω (500-aina ya meza kwa 12 Ω), ili katika block R × 1 inaweza kuwa kubwa ya sasa, kwa PN makutano ya mbele. sifa za hukumu ni sahihi zaidi. Multimeter R × 10K kuzuia betri ya ndani ni bora zaidi kuliko 9V, ili katika kupima PN makutano inverse kuvuja sasa ni sahihi zaidi, vinginevyo kuvuja hawezi kupimwa.
Sasa kutokana na maendeleo ya mchakato wa uzalishaji, uchunguzi wa kiwanda, upimaji ni mkali sana, kwa ujumla tunahukumu mradi tu hukumu ya MOSFET haivuji, haivunji mzunguko mfupi, usio wa ndani, unaweza iliyopanuliwa njiani, njia ni rahisi sana:
Kutumia multimeter R × 10K block; R × 10K kuzuia betri ya ndani kwa ujumla ni 9V pamoja na 1.5V hadi 10.5V voltage hii kwa ujumla inahukumiwa kuwa ya kutosha PN makutano inversion kuvuja, kalamu nyekundu ya multimeter ni hasi uwezo (kushikamana na terminal hasi ya betri ya ndani), the kalamu nyeusi ya multimeter ni uwezo chanya (kushikamana na terminal chanya ya betri ya ndani).
(2) Utaratibu wa mtihani:
Unganisha kalamu nyekundu kwenye chanzo cha MOSFET S; kuunganisha kalamu nyeusi kwa kukimbia kwa MOSFET D. Kwa wakati huu, dalili ya sindano inapaswa kuwa infinity. Ikiwa kuna index ya ohmic, inayoonyesha kwamba tube chini ya mtihani ina jambo la kuvuja, tube hii haiwezi kutumika.
Dumisha hali ya juu; kwa wakati huu na kontakt 100K ~ 200K iliyounganishwa kwenye lango na kukimbia; kwa wakati huu sindano inapaswa kuonyesha idadi ya ohms ndogo bora zaidi, kwa ujumla inaweza kuonyeshwa kwa ohms 0, wakati huu ni malipo mazuri kwa njia ya kupinga 100K kwenye malipo ya lango la MOSFET, na kusababisha uwanja wa umeme wa lango, kutokana na uwanja wa umeme yanayotokana na channel conductive kusababisha kukimbia na chanzo upitishaji, hivyo multimeter sindano deflection, deflection angle ni kubwa (index Ohm ni ndogo) ili kuthibitisha kwamba utendaji kutokwa ni nzuri.
Na kisha kushikamana na resistor kuondolewa, basi pointer multimeter lazima bado kuwa MOSFET kwenye index bado bila kubadilika. Ingawa resistor kuchukua mbali, lakini kwa sababu resistor lango kushtakiwa kwa malipo haina kutoweka, lango uwanja wa umeme inaendelea kudumisha ndani conductive channel bado iimarishwe, ambayo ni sifa ya maboksi lango aina MOSFET.
Kama resistor kuchukua sindano polepole na hatua kwa hatua kurudi upinzani juu au hata kurudi infinity, kwa kuzingatia kwamba kipimo tube kuvuja lango.
Kwa wakati huu na waya, iliyounganishwa na lango na chanzo cha tube chini ya mtihani, pointer ya multimeter mara moja ilirudi kwa infinity. Uunganisho wa waya ili MOSFET iliyopimwa, kutolewa kwa malipo ya lango, shamba la ndani la umeme kutoweka; conductive channel pia kutoweka, hivyo kukimbia na chanzo kati ya upinzani na kuwa usio.
2, uingizwaji wa MOSFET wa nguvu ya juu
Katika ukarabati wa televisheni na kila aina ya vifaa vya umeme, kukutana na uharibifu wa sehemu inapaswa kubadilishwa na aina moja ya vipengele. Hata hivyo, wakati mwingine vipengele sawa havipo, ni muhimu kutumia aina nyingine za uingizwaji, ili tunapaswa kuzingatia vipengele vyote vya utendaji, vigezo, vipimo, nk, kama vile televisheni ndani ya bomba la pato la mstari, kama vile. muda mrefu kama kuzingatia voltage, sasa, nguvu kwa ujumla inaweza kubadilishwa (line pato tube karibu vipimo sawa ya kuonekana), na nguvu huelekea kuwa kubwa na bora.
Kwa uingizwaji wa MOSFET, ingawa pia kanuni hii, ni bora kutoa mfano bora, haswa, usifuate nguvu kuwa kubwa, kwa sababu nguvu ni kubwa; uwezo wa pembejeo ni kubwa, imebadilishwa na mizunguko ya uchochezi hailingani na msisimko wa kipingamizi cha kikwazo cha sasa cha malipo ya mzunguko wa umwagiliaji wa ukubwa wa thamani ya upinzani na uwezo wa pembejeo wa MOSFET unahusiana na uteuzi wa nguvu kubwa licha ya uwezo wa kubwa, lakini uwezo wa pembejeo pia ni kubwa, na uwezo wa pembejeo pia ni kubwa, na nguvu si kubwa.
Uwezo wa kuingiza pia ni mkubwa, mzunguko wa uchochezi sio mzuri, ambayo kwa upande wake itafanya MOSFET kuwasha na kuzima utendaji kuwa mbaya zaidi. Inaonyesha uingizwaji wa miundo tofauti ya MOSFET, kwa kuzingatia uwezo wa kuingiza wa parameta hii.
Kwa mfano, kuna 42-inch LCD TV backlight high-voltage bodi uharibifu, baada ya kuangalia ndani high-nguvu uharibifu wa MOSFET, kwa sababu hakuna idadi ya mfano wa uingizwaji, uchaguzi wa voltage, sasa, nguvu si chini ya. uingizwaji wa MOSFET wa asili, matokeo yake ni bomba la taa la nyuma linaonekana kuwa laini inayoendelea (shida za uanzishaji), na mwishowe kubadilishwa na aina hiyo hiyo ya asili kutatua shida.
Uharibifu uliogunduliwa kwa MOSFET yenye nguvu ya juu, uingizwaji wa vipengele vyake vya pembeni vya mzunguko wa perfusion lazima pia kubadilishwa, kwa sababu uharibifu wa MOSFET unaweza pia kuwa vipengele duni vya mzunguko wa upenyezaji unaosababishwa na uharibifu wa MOSFET. Hata kama MOSFET yenyewe imeharibiwa, wakati MOSFET inapovunjika, vipengele vya mzunguko wa perfusion pia vinajeruhiwa na vinapaswa kubadilishwa.
Kama vile tunayo bwana wengi wajanja wa ukarabati katika ukarabati wa usambazaji wa umeme wa kubadili A3; mradi tu bomba la kubadili linapatikana kuvunjika, pia ni sehemu ya mbele ya bomba la msisimko la 2SC3807 pamoja na uingizwaji wa sababu hiyo hiyo (ingawa bomba la 2SC3807, lililopimwa kwa multimeter ni nzuri).
Muda wa kutuma: Apr-15-2024
