Njia ya uzalishaji wa nguvu ya juu ya mzunguko wa kuendesha MOSFET

Kuna suluhisho kuu mbili:

Moja ni kutumia chip ya kiendeshi kilichojitolea kuendesha MOSFET, au matumizi ya fotocouplers za haraka, transistors huunda mzunguko wa kuendesha MOSFET, lakini aina ya kwanza ya mbinu inahitaji utoaji wa umeme wa kujitegemea; aina nyingine ya transformer ya kunde ili kuendesha MOSFET, na katika mzunguko wa gari la kunde, jinsi ya kuboresha mzunguko wa kubadili mzunguko wa gari ili kuongeza uwezo wa kuendesha gari, iwezekanavyo, ili kupunguza idadi ya vipengele, ni haja ya haraka. kutatuaMatatizo ya sasa.

Aina ya kwanza ya mpango wa gari, daraja la nusu inahitaji vifaa viwili vya nguvu vya kujitegemea; daraja kamili linahitaji vifaa vitatu vya nguvu vinavyojitegemea, daraja la nusu na daraja kamili, vipengele vingi sana, ambavyo havifai kupunguza gharama.

Aina ya pili ya programu ya kuendesha gari, na hataza ni sanaa ya karibu zaidi ya jina la uvumbuzi "nguvu ya juu.MOSFET kuendesha mzunguko" patent (nambari ya maombi 200720309534. 8), hati miliki huongeza tu upinzani wa kutokwa ili kutolewa chanzo cha lango la malipo ya juu ya nguvu ya MOSFET, ili kufikia lengo la kuzima, makali ya kuanguka ya ishara ya PWM ni kubwa. Kuanguka kwa makali ya ishara ya PWM ni kubwa, ambayo itasababisha kuzima polepole kwa MOSFET, kupoteza nguvu ni kubwa sana;

Kwa kuongeza, mpango wa patent MOSFET kazi inakabiliwa na kuingiliwa, na chip ya udhibiti wa PWM inahitaji kuwa na nguvu kubwa ya pato, na kufanya joto la chip ni la juu, linaloathiri maisha ya huduma ya chip. Yaliyomo katika uvumbuzi Madhumuni ya mfano huu wa matumizi ni kutoa mzunguko wa gari wa MOSFET wa nguvu ya juu, kufanya kazi kwa utulivu zaidi na sifuri ili kufikia madhumuni ya suluhisho hili la kiufundi la uvumbuzi wa mfano wa matumizi - mzunguko wa gari wa MOSFET wa nguvu ya juu, matokeo ya ishara ya Chip ya kudhibiti PWM imeunganishwa na kibadilishaji cha msingi cha kunde, the pato la kwanza of transformer ya sekondari ya sekondari imeunganishwa na lango la kwanza la MOSFET, pato la pili la transformer ya sekondari ya sekondari imeunganishwa na lango la kwanza la MOSFET, pato la pili la transformer ya sekondari ya sekondari imeunganishwa na lango la kwanza la MOSFET. Pato la kwanza la sekondari ya transfoma ya kunde limeunganishwa na lango la MOSFET ya kwanza, pato la pili la sekondari ya transfoma ya kunde limeunganishwa na lango la MOSFET ya pili, inayojulikana kwa kuwa pato la kwanza la sekondari ya transformer ya kunde pia imeunganishwa. kwa transistor ya kwanza ya kutokwa, na pato la pili la sekondari ya transfoma ya mapigo pia imeunganishwa na transistor ya pili ya kutokwa. Upande wa msingi wa kibadilishaji cha mapigo pia umeunganishwa na uhifadhi wa nishati na mzunguko wa kutolewa.

Mzunguko wa kutolewa kwa hifadhi ya nishati ni pamoja na kupinga, capacitor na diode, kupinga na capacitor huunganishwa kwa sambamba, na mzunguko uliotajwa hapo juu unaunganishwa katika mfululizo na diode. Mtindo wa matumizi una athari ya manufaa Mfano wa matumizi pia una transistor ya kwanza ya kutokwa iliyounganishwa na pato la kwanza la sekondari ya transformer, na transistor ya pili ya kutokwa iliyounganishwa na pato la pili la transformer ya kunde, ili wakati transformer ya kunde inapotoa matokeo ya chini. ngazi, MOSFET ya kwanza na MOSFET ya pili inaweza kutolewa haraka ili kuboresha kasi ya kuzima ya MOSFET, na kupunguza hasara ya MOSFET. Ishara ya udhibiti wa PWM Chip imeunganishwa na MOSFET ya ukuzaji wa ishara kati ya pato la msingi na msingi wa kibadilishaji cha mapigo, ambayo inaweza kutumika kwa ukuzaji wa ishara. Pato la ishara ya chip ya udhibiti wa PWM na kibadilishaji cha msingi cha kunde huunganishwa na MOSFET kwa ukuzaji wa ishara, ambayo inaweza kuboresha zaidi uwezo wa kuendesha wa ishara ya PWM.

Transfoma ya msingi ya kunde pia imeunganishwa na mzunguko wa kutolewa kwa uhifadhi wa nishati, wakati ishara ya PWM iko katika kiwango cha chini, mzunguko wa kutolewa kwa uhifadhi wa nishati hutoa nishati iliyohifadhiwa kwenye kibadilishaji cha mapigo wakati PWM iko kwenye kiwango cha juu, kuhakikisha kuwa lango. chanzo cha MOSFET ya kwanza na MOSFET ya pili ni ya chini sana, ambayo ina jukumu katika kuzuia kuingiliwa.

Katika utekelezaji maalum, MOSFET Q1 ya nguvu ya chini ya ukuzaji wa ishara imeunganishwa kati ya terminal ya pato la ishara A ya chip ya kudhibiti PWM na msingi wa kibadilishaji cha kunde Tl, terminal ya kwanza ya pato la sekondari ya kibadilishaji cha kunde imeunganishwa na lango la MOSFET Q4 ya kwanza kupitia diode D1 na upinzani wa kuendesha gari Rl, terminal ya pili ya pato la sekondari ya transformer ya kunde imeunganishwa na lango la MOSFET Q5 ya pili. kupitia diode D2 na resistor ya kuendesha gari R2, na terminal ya kwanza ya pato ya sekondari ya transformer ya kunde pia imeunganishwa na triode ya kwanza ya kukimbia Q2, na triode ya pili ya kukimbia Q3 pia imeunganishwa na triode ya pili ya kukimbia Q3. MOSFET Q5, terminal ya kwanza ya pato la sekondari ya transformer ya kunde pia imeunganishwa na transistor ya kwanza ya kukimbia Q2, na terminal ya pili ya pato la sekondari ya transformer ya kunde pia imeunganishwa na transistor ya pili ya kukimbia Q3.

Lango la MOSFET Q4 ya kwanza imeunganishwa na upinzani wa kukimbia R3, na lango la MOSFET Q5 ya pili linaunganishwa na upinzani wa kukimbia R4. msingi wa transformer ya kunde Tl pia imeunganishwa na mzunguko wa kuhifadhi na kutolewa kwa nishati, na uhifadhi wa nishati na mzunguko wa kutolewa ni pamoja na resistor R5, Cl capacitor, na diode D3, na resistor R5 na capacitor Cl zimeunganishwa. sambamba, na mzunguko uliotajwa hapo juu umeunganishwa katika mfululizo na diode D3. pato la ishara ya PWM kutoka kwa chip ya udhibiti wa PWM imeunganishwa na MOSFET Q2 ya nguvu ya chini, na MOSFET Q2 ya chini ya nguvu imeunganishwa na sekondari ya transformer ya kunde. inakuzwa na Ql ya nguvu ya chini ya MOSFET na kutoa kwa msingi wa kibadilishaji mapigo cha Tl. Wakati ishara ya PWM iko juu, terminal ya pato la kwanza na terminal ya pili ya pato la sekondari ya kibadilishaji mapigo cha Tl hutoa ishara za kiwango cha juu cha kuendesha MOSFET Q4 ya kwanza na ya pili ya MOSFET Q5 kuendesha.

Wakati ishara ya PWM ni ya chini, pato la kwanza na pato la pili la transfoma ya kunde Tl ishara ya kiwango cha chini cha pato la sekondari, transistor ya kwanza ya kukimbia Q2 na upitishaji wa pili wa transistor Q3, capacitance ya kwanza ya lango la MOSFETQ4 kupitia resistor R3 ya kukimbia, transistor ya kwanza ya kukimbia Q2 ya kutokwa, lango la pili la MOSFETQ5 la uwezo wa chanzo kupitia kizuia kukimbia R4, transistor ya pili ya kukimbia Q3 kwa kutokwa, pili MOSFETQ5 lango chanzo capacitance kupitia resistor kukimbia R4, pili kukimbia transistor Q3 kwa ajili ya kutokwa, pili MOSFETQ5 lango chanzo capacitance kupitia resistor kukimbia R4, pili kukimbia transistor Q3 kwa ajili ya kutokwa. Chanzo cha pili cha capacitance ya lango la MOSFETQ5 hutolewa kwa njia ya upinzani wa kukimbia R4 na transistor ya pili ya kukimbia Q3, ili MOSFET Q4 ya kwanza na MOSFET Q5 ya pili inaweza kuzimwa kwa kasi na kupoteza nguvu kunaweza kupunguzwa.

Wakati ishara ya PWM iko chini, mzunguko wa kutolewa kwa nishati uliohifadhiwa unaojumuisha resistor R5, capacitor Cl na diode D3 hutoa nishati iliyohifadhiwa katika kibadilishaji cha mapigo wakati PWM iko juu, kuhakikisha kwamba chanzo cha lango la MOSFET Q4 ya kwanza na MOSFET ya pili. Q5 ni ya chini sana, ambayo hutumikia madhumuni ya kupinga kuingiliwa. Diode Dl na diode D2 hufanya sasa pato kwa unidirectionally, hivyo kuhakikisha ubora wa waveform ya PWM, na wakati huo huo, pia ina jukumu la kupambana na kuingiliwa kwa kiasi fulani.