Muunganisho kati ya MOSFET na Transistors za Athari ya Sehemu

Sekta ya vipengele vya kielektroniki imefika hapo ilipo sasa bila msaada waMOSFETsna Transistors za Athari za Sehemu. Hata hivyo, kwa baadhi ya watu ambao ni wapya katika tasnia ya elektroniki, mara nyingi ni rahisi kuchanganya MOSFET na transistors za athari za shamba. Kuna uhusiano gani nyuma ya MOSFET na transistors za athari za shamba? Je, MOSFET ni transistor ya athari ya shamba au la?

Kwa kweli, kulingana na ushirikishwaji wa vipengele hivi vya elektroniki, alisema MOSFET ni shamba athari transistor hakuna tatizo, lakini njia nyingine kote si sahihi, yaani, transistor shamba athari si tu ni pamoja na MOSFET, lakini pia ni pamoja na. vipengele vingine vya elektroniki.

Transistors za athari za shamba zinaweza kugawanywa katika mirija ya makutano na MOSFET. Ikilinganishwa na MOSFETs, mirija ya makutano hutumiwa mara chache, kwa hivyo mzunguko wa kutaja zilizopo za makutano pia ni ndogo sana, na MOSFET na transistors za athari za shamba hutajwa mara nyingi, hivyo ni rahisi kutoa kutokuelewana kuwa ni aina moja ya vipengele.

MOSFETinaweza kugawanywa katika aina ya uboreshaji na aina ya kupungua, kanuni ya kazi ya vipengele hivi viwili vya elektroniki ni tofauti kidogo, bomba la aina ya uboreshaji kwenye lango (G) pamoja na voltage chanya, bomba la maji (D) na chanzo (S) ili kufanya, wakati aina ya kupungua hata kama lango (G) halijaongezwa kwa voltage chanya, kukimbia (D) na chanzo (S) pia ni conductive.

Hapa uainishaji wa transistor ya athari ya shamba haujaisha, kila aina ya bomba inaweza kugawanywa katika mirija ya aina ya N na mirija ya aina ya P, kwa hivyo transistor ya athari ya shamba inaweza kugawanywa katika aina sita za bomba hapa chini, kwa mtiririko huo, N-channel. transistors za athari za uga za makutano, transistors za uga za makutano ya P-channel, transistors za uga za uboreshaji wa kituo cha N-channel, transistors za uga za uboreshaji wa P-channel, madoido ya uga ya kumaliza chaneli ya N. transistors, na P-channel depletion aina ya Transistors Field Effect.

Kila sehemu katika mchoro wa mzunguko wa alama za mzunguko ni tofauti, kwa mfano, picha ifuatayo inaorodhesha alama za mzunguko wa aina mbili za zilizopo za makutano, mshale wa pini namba 2 unaoelekeza kwenye bomba kwa transistor ya athari ya uwanja wa N-channel. , inayoelekeza nje ni transistor ya athari ya sehemu ya makutano ya P.

MOSFETna tofauti ya ishara ya saketi ya mirija ya makutano bado ni kubwa kiasi, transistor ya aina ya upungufu wa njia ya N-channel na aina ya P-channel ya athari ya transistor ya athari ya aina ya P-channel, mshale huo huo unaoelekeza kwenye bomba la aina ya N, unaoelekeza nje ni bomba la aina ya P. . Vile vile, tofauti kati ya transistors za uga za aina ya uboreshaji wa N-channel na transistors za uga za aina ya uboreshaji wa P-channel pia inategemea uelekeo wa mshale, unaoelekeza kwenye bomba ni aina ya N, na inayoelekeza nje ni aina ya P.

Uboreshaji wa transistors za athari za shamba (ikiwa ni pamoja na tube ya aina ya N na tube ya aina ya P) na transistors za athari za shamba za kupungua (ikiwa ni pamoja na tube ya aina ya N na aina ya P) alama za mzunguko ziko karibu sana. Tofauti kati ya hizi mbili ni kwamba moja ya alama inawakilishwa na mstari uliopigwa na nyingine kwa mstari imara. Mstari wa nukta huonyesha transistor ya madoido ya uga ya uboreshaji na laini dhabiti huonyesha transistor ya athari ya uga.